Datasheet.kr   

STD12NF06L 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD12NF06L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STD12NF06L 자료 제공

부품번호 STD12NF06L 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD12NF06L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STD12NF06L 데이터시트, 핀배열, 회로
STD12NF06L
N-CHANNEL 60V - 0.08 - 12A IPAK/DPAK
STripFET™ II POWER MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STD12NF06L
60 V
< 0.1
12 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.08
s EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
s LOW GATE CHARGE
s LOW THRESHOLD DRIVE
s THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")
s SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX “T4")
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-
based process. The resulting transistor shows extremely
high packing density for low on-resistance, rugged
avalanche characteristics and less critical alignment
steps therefore a remarkable manufacturing
reproducibility.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED
s SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
s DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s AUTOMOTIVE ENVIRONMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR
Drain-gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuous) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuous) at TC = 100°C
IDM(•) Drain Current (pulsed)
Ptot Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
dv/dt (1) Peak Diode Recovery voltage slope
EAS (2) Single Pulse Avalanche Energy
Tstg Storage Temperature
Tj Operating Junction Temperature
(•) Pulse width limited by safe operating area.
June 2003
.
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix “-1”)
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix “T4”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Value
60
60
± 16
12
8.5
48
30
0.2
15
100
-55 to 175
(1) ISD 12A, di/dt 200A/µs, VDD=40V, Tj TJMAX
(2) Starting Tj = 25 oC, IAR = 6A, VDD= 30V
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
mJ
°C
1/10




STD12NF06L pdf, 반도체, 판매, 대치품
STD12NF06L
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
4/10

4페이지










STD12NF06L 전자부품, 판매, 대치품
DIM.
A
A1
A3
B
B2
B3
B5
B6
C
C2
D
E
G
H
L
L1
L2
STD12NF06L
TO-251 (IPAK) MECHANICAL DATA
MIN.
2.2
0.9
0.7
0.64
5.2
0.45
0.48
6
6.4
4.4
15.9
9
0.8
mm
TYP.
0.3
0.8
MAX.
2.4
1.1
1.3
0.9
5.4
0.85
0.95
0.6
0.6
6.2
6.6
4.6
16.3
9.4
1.2
1
MIN.
0.086
0.035
0.027
0.025
0.204
0.017
0.019
0.236
0.252
0.173
0.626
0.354
0.031
inch
TYP.
0.012
0.031
MAX.
0.094
0.043
0.051
0.031
0.212
0.033
0.037
0.023
0.023
0.244
0.260
0.181
0.641
0.370
0.047
0.039
H
L2 D
L
L1
0068771-E
7/10

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ STD12NF06L.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STD12NF06

N-CHANNEL POWER MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics
STD12NF06L

N-CHANNEL POWER MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵