Datasheet.kr   

STD12NE06 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD12NE06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STD12NE06 자료 제공

부품번호 STD12NE06 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD12NE06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STD12NE06 데이터시트, 핀배열, 회로
® STD12NE06
N - CHANNEL 60V - 0.08- 12A - IPAK/DPAK
SINGLE FEATURE SIZEPOWER MOSFET
TYPE
V DSS
RDS(on)
ID
STD12NE06
60 V
< 0.10
12 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.08
s EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
s AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
s 100 % AVALANCHE TESTED
s APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
s ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE
& REEL
DESCRIPTION
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique ”Single Feature
Size” strip-based process. The resulting transi-
stor shows extremely high packing density for low
on-resistance, rugged avalanche characteristics
and less critical alignment steps therefore a re-
markable manufacturing reproducibility.
APPLICATIONS
s DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)
s DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s SYNCHRONOUS RECTIFICATION
3
2
1
3
1
IPAK
TO-251
(Suffix ”-1”)
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ymb ol
Parameter
VDS
VDGR
VG S
ID
ID
IDM()
Ptot
Drain-source Volt age (VGS = 0)
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
Tot al Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/dt(1 ) Peak Diode Recovery voltage slope
Tstg Storage T emperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
March 1999
Va l u e
Unit
60 V
60 V
± 20
V
12 A
8A
48 A
35
0.23
W
W /o C
6 V/ns
-65 to 175
oC
175 oC
( 1) ISD 12 A, di/dt 200 A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
1/10




STD12NE06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
STD12NE06
Derating Curve
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
4/10

4페이지










STD12NE06 전자부품, 판매, 대치품
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STD12NE06
Fig. 4: Gate Charge test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And DIode Recovery Times
7/10

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ STD12NE06.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STD12NE06

N-CHANNEL POWER MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics
STD12NE06L

N-CHANNEL POWER MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵