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IRLZ14 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRLZ14은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRLZ14 자료 제공

부품번호 IRLZ14 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRLZ14 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

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IRLZ14 데이터시트, 핀배열, 회로
l Advanced Process Technology
l Surface Mount (IRLZ14S)
l Low-profile through-hole (IRLZ14L)
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
G
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs
are well known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
The D2Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D2Pak is suitable for high current applications because of
its low internal connection resistance and can dissipate
up to 2.0W in a typical surface mount application.
The through-hole version (IRLZ14L) is available for low-
profile applications.
Absolute Maximum Ratings
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TA = 25°C
PD @TC = 25°C
VGS
EAS
dv/dt
TJ
TSTG
Parameter
Continuous Drain Current, VGS @ 10V…
Continuous Drain Current, VGS @ 10V…
Pulsed Drain Current …
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy‚…
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ…
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
RθJC
RθJA
Parameter
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
PD - 9.903A
IRLZ14S/L
HEXFET® Power MOSFET
D
VDSS = 60V
RDS(on) = 0.20
ID = 10A
S
D 2 Pak
T O -262
Max.
10
7.2
40
3.7
43
0.29
± 10
68
4.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W
W/°C
V
mJ
V/ns
°C
°C
Typ.
–––
–––
Max.
3.5
40
Units
°C/W
8/25/97




IRLZ14 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRLZ14S/L

4페이지










IRLZ14 전자부품, 판매, 대치품
D.U.T
+
‚
-

RG
IRLZ14S/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
ƒ
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
„
-+
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
- VDD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
VGS=10V *
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery
dv/dt
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
VDD
Ripple 5%
ISD
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFETS

7페이지


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