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MRF653 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 MRF653은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MRF653 자료 제공

부품번호 MRF653 기능
기능 RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


MRF653 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MRF653 데이터시트, 핀배열, 회로
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF653/D
The RF Line
NPN Silicon
RF Power Transistor
MRF653
Designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications in industrial
and commercial FM equipment operating to 512 MHz.
Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics
Output Power = 10 W
Gain = 8.0 dB (Typ)
Efficiency = 65% (Typ)
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Reliability
Capable of 20:1 VSWR Load Mismatch at 16 V Supply Voltage
Circuit board photomaster available upon request by contacting
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
10 W, 512 MHz
RF POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25°C
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
16.5
38
4.0
2.75
44
0.25
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Watts
W/°C
CASE 244–04, STYLE 1
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Tstg – 65 to +150
TJ 200
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 20 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = 20 mAdc, VBE = 0)
V(BR)CES
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = 5.0 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
Collector Cutoff Current (VCE = 15 Vdc, VBE = 0)
ICES
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance (VCB = 12.5 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
FUNCTIONAL TESTS
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(VCC = 12.5 Vdc, Pout = 10 W, f = 512 MHz)
Gpe
Collector Efficiency
(VCC = 12.5 Vdc, Pout = 10 W, f = 512 MHz)
ηc
Load Mismatch Stress
(VCC = 16 Vdc, f = 512 MHz, Pin (1) = 2.6 W,
VSWR = 20:1, All Phase Angles)
ψ
4.0 °C/W
Min Typ Max Unit
16.5 —
38 —
4.0 —
——
— Vdc
— Vdc
— Vdc
5.0 mAdc
20 — 120 —
— 22 28 pF
7.0 8.0 — dB
55 65 — %
No Degradation in Output Power
NOTE:
1. Pin = 2.0 dB over the typical input power required for 10 W output power @ 12.5 Vdc.
REV 8
©MMOotoTrOolaR, OIncL.A19R97F DEVICE DATA
MRF653
1




MRF653 pdf, 반도체, 판매, 대치품
f = 520 MHz
500
470
440
Zin
500
f = 520 MHz
470
ZOL* 440
Pout = 10 W, VCC = 12.5 Vdc
f (MHz)
440
Zin
1.0 + j2.2
ZOL*
4.3 – j2.8
470 1.0 + j2.4 4.4 – j2.1
500 1.0 + j2.6 4.1 – j1.7
520 1.0 + j2.7 3.9 – j1.65
ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance
ZOL* = into which the device operates at a given
ZOL* = output power, voltage and frequency.
Zo = 10
Figure 6. Series Equivalent Input and Output Impedance
MRF653
4
MOTOROLA RF DEVICE DATA

4페이지












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