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부품번호 | SPW32N50C3 기능 |
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기능 | Cool MOS Power Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 11 페이지수
Cool MOS™ Power Transistor
Feature
• New revolutionary high voltage technology
• Ultra low gate charge
• Periodic avalanche rated
• Extreme dv/dt rated
• Ultra low effective capacitances
• Improved transconductance
SPW32N50C3
VDS @ Tjmax
RDS(on)
ID
560
0.11
32
V
Ω
A
P-TO247
Type
SPW32N50C3
Package
P-TO247
Ordering Code
Q67040-S4613
Marking
32N50C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed drain current, tp limited by Tjmax
ID puls
Avalanche energy, single pulse
EAS
ID = 10 A, VDD = 50 V
Avalanche energy, repetitive tAR limited by Tjmax1) EAR
ID = 20 A, VDD = 50 V
Avalanche current, repetitive tAR limited by Tjmax IAR
Gate source voltage
VGS
Gate source voltage AC (f >1Hz)
VGS
Power dissipation, TC = 25°C
Operating and storage temperature
Ptot
Tj , Tstg
Value
32
20
96
1100
1
20
±20
±30
284
-55... +150
Unit
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 2.0
Page 1
2004-03-16
SPW32N50C3
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
min.
Inverse diode continuous
forward current
IS TC=25°C
-
Inverse diode direct current,
pulsed
ISM
-
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Peak rate of fall of reverse
recovery current
VSD
trr
Qrr
Irrm
dirr/dt
VGS=0V, IF=IS
VR=380V, IF=IS ,
diF/dt=100A/µs
-
-
-
-
-
Values
typ. max.
- 32
- 96
1
500
15
60
1000
1.2
-
-
-
-
Unit
A
V
ns
µC
A
A/µs
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol
Value
Unit Symbol
Value
typ. typ.
Thermal resistance
Thermal capacitance
Rth1
Rth2
Rth3
Rth4
Rth5
Rth6
0.004367
0.008742
0.017
0.081
0.103
0.049
K/W
Cth1
Cth2
Cth3
Cth4
Cth5
Cth6
0.0006644
0.002479
0.00336
0.009048
0.017
0.114
Unit
Ws/K
Ptot (t)
Tj R th1
C th 1
C th 2
R th ,n
Tcase External Heatsink
C th ,n
Tamb
Rev. 2.0
Page 4
2004-03-16
4페이지 9 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 32 A pulsed
16 SPW32N50C3
V
12
10 0.2 VDS max
0.8 VDS max
8
6
4
2
00 40 80 120 160 200 nC 260
QGate
11 Avalanche SOA
IAR = f (tAR)
par.: Tj ≤ 150 °C
20
A
Tj(START)=25°C
10
SPW32N50C3
10 Forward characteristics of body diode
IF = f (VSD)
parameter: Tj , tp = 10 µs
10 2 SPW32N50C3
A
10 1
10 0
10 -1
0
Tj = 25 °C typ
Tj = 150 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 150 °C (98%)
0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 V 3
VSD
12 Avalanche energy
EAS = f (Tj)
par.: ID = 10 A, VDD = 50 V
1.2
mJ
0.8
0.6
5 Tj(START)=125°C
0.4
0.2
010 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2
Rev. 2.0
µs 10 4
tAR
Page 7
020 40 60 80 100 120 °C 160
Tj
2004-03-16
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