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HERAF80xG 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 HERAF80xG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HERAF80xG 자료 제공

부품번호 HERAF80xG 기능
기능 (HERAF801G - HERAF808G) Isolation 8.0 AMPS / Glass Passivated High Efficient Rectifiers
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


HERAF80xG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HERAF80xG 데이터시트, 핀배열, 회로
HERAF801G THRU HERAF808G
Features
Isolation 8.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers
Voltage Range
50 to 1000 Volts
Current
8.0 Amperes
ITO-220AC
Low forward voltage drop
High current capability
High reliability
High surge current capability
Mechanical Data
.185(4.7)
.173(4.4)
.124(3.16)
.118(3.00)
.406(10.3)
.390(9.90)
.134(3.4)DIA
.113(3.0)DIA
.272(6.9)
.248(6.3)
.112(2.85)
.100(2.55)
.606(15.5)
.583(14.8)
Cases: ITO-220AC molded plastic
Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
Terminals: Leads solderable per MIL-
STD-202, Method 208 guaranteed
Polarity: As marked
.063(1.6)
MAX
.110(2.8)
.098(2.5)
.161(4.1)
.146(3.7)
.071(1.8) .543(13.8)
MAX
.512(13.2)
High temperature soldering guaranteed:
260oC/ 0.25” (6.35mm) from case for 10
seconds
Mounting torque: 5 in – 1bs. Max.
PIN 1
PIN 2
Case Positive
.100(2.55)
2
.100(2.55)
Weight: 2.24 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Rating and Electrical Characteristics
Rating at 25ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Symbol HERAF HERAF HERAF HERAF HERAF HERAF HERAF HERAF Units
801G 802G 803G 804G 805G 806G 807G 808G
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 300 400 600 800 1000 V
Maximum RMS Voltage
VRMS 35 70 140 210 280 420 560 700 V
Maximum DC Blocking Voltage
VDC 50 100 200 300 400 600 800 1000 V
Maximum Average Forward Rectified
Current .375”(9.5mm) Lead Length
I(AV)
8.0
A
@TC =100
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single
Half Sine-wave Superimposed on Rated
Load (JEDEC method )
IFSM
150
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@8.0A
VF
1.0
1.3 1.7
V
Maximum DC Reverse Current @ TA=25
at Rated DC Blocking Voltage @ TA=125
IR
10.0 uA
400 uA
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Trr
50
80 nS
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Cj
80
60 pF
Typical Thermal Resistance (Note 3)
RθJC
2.0 /W
Operating Temperature Range
TJ
-65 to +150
Storage Temperature Range
TSTG
-65 to +150
Notes: 1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A
2. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
3. Mounted on Heatsink Size of 2 in x 3 in x 0.25 in Al-Plate..
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