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JAN2N5415 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 JAN2N5415은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JAN2N5415 자료 제공

부품번호 JAN2N5415 기능
기능 (JAN2N5415 / JAN2N5416) PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


JAN2N5415 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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JAN2N5415 데이터시트, 핀배열, 회로
TECHNICAL DATA
PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/485
Devices
2N5415
2N5415S
2N5416
2N5416S
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation @ TA = +250C
@ TC = +250C
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PT
Operating & Storage Temperature Range Top, Tstg
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθJC
1) Derate linearly 4.28 mW/0C for TA > +250C
2) Derate linearly 57.1 mW/0C for TC > +250C
2N5415 2N5416
200 300
200 350
6.0
1.0
0.75
10
-65 to +200
Max.
17.5
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
W
0C
Unit
0C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Cutoff Current
VCE = 150 Vdc
VCE = 200 Vdc
2N5415
2N5415
ICEO
VCE = 250 Vdc
2N5416
VCE = 300 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = 6.0 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
2N5416
IEBO
VCE = 200 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
2N5415
ICEX
VCE = 300 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
Collector-Base Cutoff Current
2N5416
VCB = 175 Vdc
2N5415
ICBO1
VCB = 280 Vdc
Collector-Base Cutoff Current
2N5416
VCB = 200 Vdc
2N5415
ICBO2
VCB = 350 Vdc
2N5416
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
TO- 5*
2N5415, 2N5416
2N5415S, 2N5416S
TO-39*
(TO-205AD)
*See appendix A for
package outline
Min. Max.
Unit
50 µAdc
1.0 mAdc
50 µAdc
1.0 mAdc
20 µAdc
µAdc
50 µAdc
50
50 µAdc
50
500 µAdc
500
120101
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