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VEC2605 데이터시트 PDF




Sanyo Semicon Device에서 제조한 전자 부품 VEC2605은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 VEC2605 자료 제공

부품번호 VEC2605 기능
기능 P-Channel and N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
제조업체 Sanyo Semicon Device
로고 Sanyo Semicon Device 로고


VEC2605 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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VEC2605 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordering number : ENN8197
VEC2605
VEC2605
P-Channel and N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Features
Best suited for DC/DC converters.
The VEC2605 incorporates a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance
and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
2.5V drive.
Mounting height 0.75mm.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Conditions
PW10µs, duty cycle1%
Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)1unit
Parameter
[P-channel]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Marking : BV
Symbol
Conditions
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
ID=--1mA, VGS=0
VDS=--20V, VGS=0
VGS=±8V, VDS=0
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--500mA
ID=--500mA, VGS=--4V
ID=--300mA, VGS=--2.5V
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
P-channel
N-channel
--20 20
±10 ±10
--1 3
--4 12
0.8 0.9
150
--55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
Ratings
min typ max
Unit
--20 V
--1 µA
±10 µA
--0.4 --1.4 V
0.72
1.2
S
380 500 m
540 760 m
115 pF
23 pF
15 pF
Continued on next page.
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
12505PF TS IM TB-00001142 No.8197-1/6




VEC2605 pdf, 반도체, 판매, 대치품
VEC2605
RDS(on) -- Ta
[Pch]
800
700
600
500
400
I D=ID--=0.3--A0.,5VAG, VS=G--S2=.5--V4.0V
300
200
100
--60 --40 --20 0
20 40 60 80 100 120
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT08598
yfs-- ID
[Pch]
5
VDS= --10V
3
2
Ta= --25°C
1.0 75°C
7 25°C
5
RDS(on) -- Ta
[Nch]
80
70
60
50 I D=1A, V GS=2.5V
40 ID=2A, VGS=4.0V
30
20
--60 --40 --20 0
20 40 60 80
Ambient Temperature, Ta -- °C
10
VDS=10V
yfs-- ID
7
100 120
IT08599
[Nch]
5 Ta= --25°C
3 75°C
25°C
2
3
--0.1 2
--10
7
5
VGS=0
3
2
3 5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
IF -- VSD
23
IT08600
[Pch]
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
5
VDD= --10V
VGS= --4V
3
IT08602
[Pch]
2 td(off)
tf
10 td(on)
7
tr
5
3
2
--0.1
23
5 7 --1.0
Drain Current, ID -- A
IT08604
1.0
0.1
100
7
5
3
2
23
5 7 1.0
23
5
Drain Current, ID -- A
IF -- VSD
IT08601
[Nch]
VGS=0
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V
SW Time -- ID
5
VDD=10V
3 VGS=4V
IT08708
[Nch]
2
100
7
5
3
2
10
7
0.1
td(off)
tf
tr
td(on)
23
5 7 1.0
23
57
Drain Current, ID -- A
IT08709
No.8197-4/6

4페이지












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