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DE375-501N21A 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 DE375-501N21A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DE375-501N21A 자료 제공

부품번호 DE375-501N21A 기능
기능 RF Power MOSFET
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


DE375-501N21A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DE375-501N21A 데이터시트, 핀배열, 회로
DE375-501N21A
RF Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Low Qg and Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
50MHz Maximum Frequency
Symbol Test Conditions
VDSS
VDGR
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Maximum Ratings
500 V
500 V
VDSS = 500 V
ID25 = 25 A
RDS(on) = 0.22
PDC = 940 W
VGS
VGSM
Continuous
Transient
±20 V
±30 V
ID25 Tc = 25°C
IDM Tc = 25°C, pulse width limited by TJM
25 A
150 A
IAR
EAR
dv/dt
PDC
PDHS
Tc = 25°C
Tc = 25°C
IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS,
Tj 150°C, RG = 0.2
IS = 0
Tc = 25°C
Derate 3.7W/°C above 25°C
21 A
30 mJ
5 V/ns
>200 V/ns
940 W
425
GATE
W
DRAIN
PDAMB
Tc = 25°C
4.5 W
RthJC
RthJHS
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(on)
0.16 C/W
0.36 C/W
Test Conditions
Characteristic Values
TJ = 25°C unless otherwise specified
min. typ. max.
VGS = 0 V, ID = 3 ma
500
V
VDS = VGS, ID = 4 ma
2.5 5.5 V
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
±100 nA
VDS = 0.8 VDSS TJ = 25°C
VGS = 0
TJ = 125°C
50 µA
1 mA
VGS = 15 V, ID = 0.5ID25
Pulse test, t 300µS, duty cycle d 2%
0.22
SG1 SG2
SD1 SD2
Features
Isolated Substrate
high isolation voltage (>2500V)
excellent thermal transfer
Increased temperature and power
cycling capability
IXYS advanced low Qg process
Low gate charge and capacitances
easier to drive
faster switching
Low RDS(on)
Very low insertion inductance (<2nH)
No beryllium oxide (BeO) or other haz-
ardous materials
gfs VDS = 15 V, ID = 0.5ID25, pulse test
17 S Advantages
TJ
-55
+175 °C
Optimized for RF and high speed
switching at frequencies to 50MHz
TJM
175
°C Easy to mount—no insulators needed
Tstg
-55
+175 °C
High power density
TL 1.6mm (0.063 in) from case for 10 s
300 °C
Weight
3g




DE375-501N21A pdf, 반도체, 판매, 대치품
DE375-501N21A
RF Power MOSFET
501N21A DE-SERIES SPICE Model (Preliminary)
The DE-SERIES SPICE Model is illustrated in Figure 1. The model is an expan-
sion of the SPICE level 3 MOSFET model. It includes the stray inductive terms
LG, LS and LD. Rd is the RDS(ON) of the device, Rds is the resistive leakage term.
The output capacitance, COSS, and reverse transfer capacitance, CRSS are mod-
eled with reversed biased diodes. This provides a varactor type response neces-
sary for a high power device model. The turn on delay and the turn off delay are
adjusted via Ron and Roff.
Figure 1 DE-SERIES SPICE Model
This SPICE model may be downloaded as a text file from the DEI web site at
www.directedenergy.com/spice.htm
Net List:
.SUBCKT 501N21A 10 20 30
* TERMINALS: D G S
* 500 Volt 21 Amp 0.22 ohm N-Channel Power MOSFET
* REV.A 01-09-02
M1 1 2 3 3 DMOS L=1U W=1U
RON 5 6 0.3
DON 6 2 D1
ROF 5 7 .1
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 2.6N
RD 4 1 0.22
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS (LEVEL=3 VTO=3.0 KP=3.8)
.MODEL D1 D (IS=.5F CJO=1P BV=100 M=.5 VJ=.6 TT=1N)
.MODEL D2 D (IS=.5F CJO=400P BV=1000 M=.4 VJ=.6 TT=400N RS=10M)
.MODEL D3 D (IS=.5F CJO=900P BV=1000 M=.3 VJ=.4 TT=400N RS=10M)
.ENDS
Doc #9200-0250 Rev 4
© 2003 IXYS RF
An IXYS Company
2401 Research Blvd., Suite 108
Fort Collins, CO USA 80526
970-493-1901 Fax: 970-493-1903
Web: http://www.directedenergy.com

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