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DE475-102N21A 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 DE475-102N21A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DE475-102N21A 자료 제공

부품번호 DE475-102N21A 기능
기능 RF Power MOSFET
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


DE475-102N21A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DE475-102N21A 데이터시트, 핀배열, 회로
N-Channel Enhancement Mode
Low Qg and Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
30MHz Maximum Frequency
Symbol Test Conditions
DE475-102N21A
RF Power MOSFET
Maximum Ratings
VDSS = 1000 V
ID25 = 24 A
RDS(on) = 0.41
VDSS
VDGR
VGS
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 M
Continuous
1000
1000
±20
V
V
V
PDC = 1800W
VGSM
ID25
IDM
IAR
EAR
dv/dt
Transient
Tc = 25°C
Tc = 25°C, pulse width limited by TJM
Tc = 25°C
Tc = 25°C
IS IDM, di/dt 100A/µs, VDD VDSS,
Tj 150°C, RG = 0.2
IS = 0
±30 V
24 A
144 A
21 A
30 mJ
5 V/ns
>200 V/ns
PDC
PDHS
PDAMB
RthJC
RthJHS
Symbol
VDSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(on)
gfs
TJ
TJM
Tstg
TL
Weight
Tc = 25°C
Derate 4.0W/°C above 25°C
Tc = 25°C
1800
730
4.5
W
W GATE
W
DRAIN
0.08 C/W
0.20 C/W
SG1 SG2
SD1 SD2
Test Conditions
Characteristic Values
TJ = 25°C unless otherwise specified
VGS = 0 V, ID = 3 ma
VDS = VGS, ID = 4 ma
VGS = ±20 VDC, VDS = 0
VDS = 0.8 VDSS TJ = 25°C
VGS = 0
TJ = 125°C
min.
1000
2.5
VGS = 15 V, ID = 0.5ID25
Pulse test, t 300µS, duty cycle d 2%
VDS = 15 V, ID = 0.5ID25, pulse test
-55
-55
typ. max.
V
5.5 V
±100 nA
50 µA
1 mA
0.41
27 S
+175 °C
175 °C
+175 °C
Features
Isolated Substrate
high isolation voltage (>2500V)
excellent thermal transfer
Increased temperature and power
cycling capability
IXYS advanced low Qg process
Low gate charge and capacitances
easier to drive
faster switching
Low RDS(on)
Very low insertion inductance (<2nH)
No beryllium oxide (BeO) or other haz-
ardous materials
Advantages
Optimized for RF and high speed
switching at frequencies to 30MHz
Easy to mount—no insulators needed
High power density
1.6mm (0.063 in) from case for 10 s
300 °C
3g




DE475-102N21A pdf, 반도체, 판매, 대치품
DE475-102N21A
RF Power MOSFET
102N21A DE-SERIES SPICE Model (Preliminary)
The DE-SERIES SPICE Model is illustrated in Figure 1. The model is an expan-
sion of the SPICE level 3 MOSFET model. It includes the stray inductive terms
LG, LS and LD. Rd is the RDS(ON) of the device, Rds is the resistive leakage term.
The output capacitance, COSS, and reverse transfer capacitance, CRSS are mod-
eled with reversed biased diodes. This provides a varactor type response neces-
sary for a high power device model. The turn on delay and the turn off delay are
adjusted via Ron and Roff.
Figure 1 DE-SERIES SPICE Model
This SPICE model may be downloaded as a text file from the DEI web site at
www.directedenergy.com/spice.htm
Net List:
.SUBCKT 102N21A 10 20 30
* TERMINALS: D G S
* 1000 Volt 21 Amp 0.41 ohm N-Channel Power MOSFET
* REV.A 01-09-02
M1 1 2 3 3 DMOS L=1U W=1U
RON 5 6 0.3
DON 6 2 D1
ROF 5 7 .1
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 5.5N
RD 4 1 0.41
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS (LEVEL=3 VTO=3.0 KP=3.8)
.MODEL D1 D (IS=.5F CJO=1P BV=100 M=.5 VJ=.6 TT=1N)
.MODEL D2 D (IS=.5F CJO=400P BV=1000 M=.4 VJ=.6 TT=400N RS=10M)
.MODEL D3 D (IS=.5F CJO=900P BV=1000 M=.3 VJ=.4 TT=400N RS=10M)
.ENDS
Doc #9200-0247 Rev 4
© 2003 IXYS RF
An IXYS Company
2401 Research Blvd., Suite 108
Fort Collins, CO USA 80526
970-493-1901 Fax: 970-493-1903
Web: http://www.directedenergy.com

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