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TLP555 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TLP555은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TLP555 자료 제공

부품번호 TLP555 기능
기능 Photocoupler
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


TLP555 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TLP555 데이터시트, 핀배열, 회로
東芝フォトカプラ GaAAs 赤外 LED +フォト IC
TLP555
絶縁したバスドライバ
高速ラインレシーバ
マイクロプロセッサシステムのインタフェース
MOS FET のゲートドライブ
トランジスタインバータ
TLP555
単位: mm
TLP555 は、GaAAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の集積回路受
光チップを組み合わせた 8PIN DIP のフォトカプラです。
受光側はシュミット回路と 3 ステート出力回路を持っており、吸い込み (
ンク)、はき出し (ソース) の両方向ドライブができます。また、受光 IC には
シールドをほどこし、1000 V /μs の高い瞬時コモンモード除去を与えていま
す。
TLP555 は、バッファロジックタイプです。インバータロジックタイプが
必要な場合には TLP558 があります。
l 入力しきい値電流
: IF = 1.6 mA (最大)
l 電源電圧
: VCC = 4.520 V
l スイッチングスピード
: tpHLtpLH = 400 ns (最大)
l 瞬時コモンモード除去電圧 : ±1000V /μs (最小)
l 動作温度
: 2585℃ 保証
l 絶縁耐圧
: 2500 Vrms (最小)
l UL 認定品
: UL1577、ファイル No. E67349
JEDEC
EIAJ
東芝
質量: 0.54 g
真理値表 (正ロジック)
ピン接続図
入力
H
L
H
L
イネーブル
H
H
L
L
出力
Z
Z
H
L
1110C4
1 2001-04-06




TLP555 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TLP555
電気的特性 (特に指定のない場合、Ta = 2585℃、VCC = 4.520 V)
項目
記号
測定条件
最小 標準(*) 最大 単位
入力順電圧
入力順電圧温度係数
入力逆電流
入力端子間容量
出 力 リ ー ク 電 流 (VO > VCC)
ローレベル出力電圧
ハイレベル出力電圧
ローレベルイネーブル電流
ハイレベルイネーブル電流
ローレベルイネーブル電圧
ハイレベルイネーブル電圧
ローレベル供給電流
ハイレベル供給電流
ハイインピーダンス出力電流
ローレベルショート回路出力電流 (6)
ハイレベルショート回路出力電流 (6)
“出力 L→出力 H”入力電流
“出力 H→出力 L”入力電圧
入力電流ヒステリシス
絶縁抵抗
入出力間容量
VF
ΔVF /ΔTa
IR
CT
IOHH
VOL
VOH
IEL
IEH
VEL
VEH
ICCL
ICCH
IOZL
IOZH
IOSL
IOSH
IFH
VFL
IHYS
RS
CS
IF = 5 mA, Ta = 25
IF = 5 mA
VR = 5 V, Ta = 25
VF = 0, f = 1 MHz, Ta = 25
IF = 5 mA,
VCC = 4.5 V
VE = GND
VO = 5.5 V
VO = 20 V
IOL = 6.4 mA, VF = 0.8 V
VE = 0.8 V
IOH = 2.6 mA, IF = 1.6 mA
VE = 0.8 V
VE = 0.4 V
VE = 2.7 V
VE = 5.5 V
VE = 20 V
1.55
2.0
――
45
――
2
0.4
2.4 3.3
0.13
――
――
0.01
― ――
2.0
VF = 0 V, VE = GND VCC = 5.5 V
VCC = 20 V
IF = 5 mA
VE = GND
VCC = 5.5 V
VCC = 20 V
IF = 5 mA, VE = 2 V VO = 0.4 V
VO = 2.4 V
VF = 0 V, VE = 2 V VO = 5.5 V
VO = 20 V
VF = 0 V
VE = 0.8 V
VO = VCC = 5.5 V
VO = VCC = 20 V
25
40
IF = 5mA, VO = GND VCC = 5.5 V
VE = 0.8V
VCC = 20 V
10
25
VE = 0.8 V, IO = 2.6 mA
VO > 2.4 V
VE = 0.8 V, IO = 6.4 mA,
VO < 0.4 V
0.8
VCC = 5 V, VE = GND
VS = 500 V, R.H.60%
Ta = 25
(5) 5×1010
5
5.6
2.5
2.8
1
0.01
55
80
25
60
0.4
0.05
1014
VS = 0, f = 1 MHz, Ta = 25(5)
1.0
1.7 V
mV /
10 μA
pF
100
μA
500
0.5 V
V
0.32
20
100
250
0.8
6.0
7.5
4.5
6.0
20
20
100
500
mA
μA
V
V
mA
mA
μA
mA
mA
1.6 mA
V
mA
―Ω
pF
*: 標準値は、Ta = 25℃、VCC = 5 VIF (ON) = 3 mA の値。
4 2001-04-06

4페이지










TLP555 전자부품, 판매, 대치품
TLP555
当社半導体製品取り扱い上のお願い
000629TBC
· 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの
ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」など
でご確認ください。
· 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用
ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や
誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、
交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 特定用途とい
) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用
することは、お客様の責任でなされることとなります。
· 本資料に掲載されている製品の材料には、GaAs (ガリウムひ素) が使われています。その粉末や蒸気は人体に対
し危険ですので、破壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。また、製品を廃棄する場合は法規に従
い、一般産業廃棄物や家庭用ゴミとは混ぜないでください。
· 本資料に掲載されている製品は、外国為替および外国貿易法により、輸出または海外への提供が規制されている
ものです。
· 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お
よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
· 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
7 2001-04-06

7페이지


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