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HAT2165H 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 HAT2165H은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HAT2165H 자료 제공

부품번호 HAT2165H 기능
기능 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


HAT2165H 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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HAT2165H 데이터시트, 핀배열, 회로
HAT2165H
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
REJ03G0004-0500Z
(Previous ADE-208-1632C (Z))
Rev.5.00
Apr.09.2003
Features
High speed switching
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
RDS(on) = 2.5 mtyp. (at VGS = 10 V)
Outline
LFPAK
5
D
5
1 234
4
G
SSS
12 3
1, 2, 3 Source
4 Gate
5 Drain
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 1 of 10




HAT2165H pdf, 반도체, 판매, 대치품
HAT2165H
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
40
30
20
10
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
500
100
10
DCPOWpe=ra1ti0o1nmms1s001µ0sµs
1 Operation in
this area is
limited by R DS(on)
0.1
Tc = 25°C
0.01 1 shot Pulse
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Drain to Source Voltage V DS (V)
Typical Output Characteristics
100
10 V Pulse Test
4.5 V
3.0 V
80
2.8 V
60
2.6 V
40
2.4 V
20
VGS = 2.2 V
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage V DS (V)
Typical Transfer Characteristics
100
V DS = 10 V
Pulse Test
80
60
40
Tc = 75°C
20
25°C
-25°C
0 1 23 45
Gate to Source Voltage V GS (V)
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 4 of 10

4페이지










HAT2165H 전자부품, 판매, 대치품
HAT2165H
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
100
80
10 V
5 V VGS = 0
60
40
20
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
100
I AP = 30 A
80 V DD = 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
60
40
20
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (˚C)
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
V DS
Monitor
Rg
50
L
I AP
Monitor
D. U. T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
L IAP2
VDSS
VDSS - V DD
I AP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.5.00, Apr.09.2003, page 7 of 10

7페이지


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