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STPS3L60Q 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STPS3L60Q은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STPS3L60Q 자료 제공

부품번호 STPS3L60Q 기능
기능 (STPS3L60/Q/U) POWER SCHOTTKY RECTIFIER
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STPS3L60Q 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STPS3L60Q 데이터시트, 핀배열, 회로
® STPS3L60/Q/U
POWER SCHOTTKY RECTIFIER
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS
IF(AV)
VRRM
Tj (max)
VF (max)
3A
60 V
150°C
0.61 V
FEATURES AND BENEFITS
s NEGLIGIBLE SWITCHING LOSSES
s LOW THERMAL RESISTANCE
s AVALANCHE CAPABILITY SPECIFIED
DESCRIPTION
Axial and Surface Mount Power Schottky rectifier
suited for Switch Mode Power Supplies and high
frequency DC to DC converters. Packaged in
DO-201AD, DO-15 and SMB, this device is
intended for use in low voltage, high frequency
inverters and small battery chargers.
For applications where there are space
constraints, e.g Telecom battery charger.
DO-201AD
STPS3L60
DO-15
STPS3L60Q
SMB
STPS3L60U
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
Parameter
VRRM
IF(RMS)
IF(AV)
Repetitive peak reverse voltage
RMS forward current
Average forward current
TL = 105°C δ = 0.5
(DO-201AD, SMB)
IFSM
PARM
Tstg
Tj
dV/dt
TL = 75°C δ = 0.5
(DO-15)
Surge non repetitive forward current tp = 10 ms Sinusoidal
Repetitive peak avalanche power tp = 1µs Tj = 25°C
Storage temperature range
Maximum operating junction temperature *
Critical rate of rise of reverse voltage
Value
60
10
3
Unit
V
A
A
100
2000
- 65 to + 150
150
10000
A
W
°C
°C
V/µs
* : dPtot <
1 thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
dTj Rth( j a)
July 2003 - Ed: 5A
1/6




STPS3L60Q pdf, 반도체, 판매, 대치품
STPS3L60/Q/U
Fig. 6-2: Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (DO-15).
Zth(j-a)/Rth(j-a)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
δ = 0.5
0.5
0.4
0.3 δ = 0.2
0.2 δ = 0.1
0.1
0.0
1.E-01
Single pulse
1.E+00
tp(s)
1.E+01
T
δ=tp/T
1.E+02
tp
1.E+03
Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
IR(mA)
5E+1
1E+1
1E+0
Tj=125°C
Tj=100°C
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-3
0
VR(V)
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Fig. 8: Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
C(pF)
500
200
100
50
F=1MHz
Tj=25°C
Fig. 9-1: Forward voltage drop versus forward
current (high level, maximum values).
IFM(A)
30
Tj=100°C
(maximum values)
10
Tj=100°C
(typical values)
Tj=25°C
20
10
1
VR(V)
10
VFM(V)
1
100 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
Fig. 9-2: Forward voltage drop versus forward
current (low level, maximum values).
IFM(A)
5
4
Tj=100°C
(maximum values)
3
Tj=100°C
(typical values)
Tj=25°C
2
1
VFM(V)
0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Fig. 10: Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under each lead (Epoxy
printed circuit board FR4, Cu: 35µm) (SMB).
Rth(j-)(°C/W)
120
100
80
60
40
20
S(Cu)(cm²)
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
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