|
|
|
부품번호 | KRA736E 기능 |
|
|
기능 | (KRA736E - KRA742E) EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | Korea Electronics | ||
로고 | |||
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION
FEATURES
With Built-in Bias Resistors.
Simplify Circuit Design.
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
IN
R2
COMMON(+)
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO. R1(k ) R2(k )
KRA736E
1
10
KRA737E
2.2
2.2
KRA738E
2.2
10
KRA739E
4.7
10
KRA740E
10
4.7
KRA741E
47
10
KRA742E
100
100
KRA736E~KRA742E
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
B
B1
1 6 DIM MILLIMETERS
A 1.6+_ 0.05
A1 1.0 +_ 0.05
2 5 B 1.6+_ 0.05
B1 1.2 +_ 0.05
3 4 C 0.50
D 0.2+_ 0.05
H 0.5+_ 0.05
J 0.12+_ 0.05
PP
P5
1. Q1 COMMON (EMITTER)
2. Q2 COMMON (EMITTER)
3. Q2 IN (BASE)
4. Q2 OUT (COLLECTOR)
5. Q1 IN (BASE)
6. Q1 OUT (COLLECTOR)
TES6
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
65 4
Q1
Q2
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Output Voltage
Input Voltage
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
* : Total Rating.
KRA736E 742E
KRA736E
KRA737E
KRA738E
KRA739E
KRA740E
KRA741E
KRA742E
KRA736E 742E
SYMBOL
VO
VI
IO
PD *
Tj
Tstg
MARK SPEC
TYPE KRA736E KRA737E KRA738E KRA739E KRA740E KRA741E KRA742E
MARK
J2
J4
J5
J6
J7
J8
J9
12
RATING
-50
-10, 5
-12, 10
-12, 5
-20, 7
-30, 10
-40, 15
-40, 10
-100
200
150
-55 150
Marking
65
3
UNIT
V
V
mA
mW
Type Name
4
1 23
2002. 7. 9
Revision No : 2
1/6
KRA736E~KRA742E
KRA738E
-100
-50
-30
I O - V I(ON)
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
-0.3 -1
VO =-0.2V
-3 -10
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
KRA739E
-100
-50
-30
I O - V I(ON)
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
VO =-0.2V
-0.3 -1
-3 -10
INPUT ON VOLTAGE V I(ON) (V)
KRA738E
-3k
I O - V I(OFF)
-1k
-500
-300
-100
-50
-30
0
VO =-5V
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4
INPUT OFF VOLTAGE V I(OFF) (V)
KRA739E
-3k
I O - V I(OFF)
-1k
-500
-300
-100
-50
VO =-5V
-30
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8
INPUT OFF VOLTAGE V I(OFF) (V)
KRA738E
200
GI - IO
100
50
Ta=100 C
Ta=25 C
30 Ta=-25 C
10
-1
2002. 7. 9
VO =-5V
-3 -10 -30 -100
OUTPUT CURRENT IO (mA)
Revision No : 2
KRA739E
200
GI - IO
100
50
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
30
10
-1
VO =-5V
-3 -10 -30 -100
OUTPUT CURRENT IO (mA)
4/6
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ KRA736E.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KRA736E | (KRA736E - KRA742E) EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | Korea Electronics |
KRA736U | (KRA736U - KRA742U) EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | Korea Electronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |