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200GB60DLC 데이터시트 PDF




Eupec에서 제조한 전자 부품 200GB60DLC은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 200GB60DLC 자료 제공

부품번호 200GB60DLC 기능
기능 BSM200GB60DLC
제조업체 Eupec
로고 Eupec 로고


200GB60DLC 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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200GB60DLC 데이터시트, 핀배열, 회로
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc= 50°C
Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP= 1ms, Tc= 50°C
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tP= 1ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
VCES
IC,nom.
IC
ICRM
Ptot
VGES
IF
IFRM
I2t
VISOL
600
200
230
400
730
+/- 20V
200
400
4.050
2,5
V
A
A
A
W
V
A
A
A2s
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
VCE sat
min.
-
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,45
-
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
V
V
Cies - 9 - nF
Cres - 0,8 - nF
- 1 500 µA
ICES
- 1 - mA
IGES
-
- 400 nA
prepared by: Andreas Vetter
approved by: Michael Hornkamp
date of publication: 2000-04-26
revision: 1
1 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08




200GB60DLC pdf, 반도체, 판매, 대치품
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
400
I C= f (VCE)
VGE= 15V
350
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
250
200
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
VCE [V]
3,0
3,5
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
IC= f (VCE)
Tvj= 125°C
400
350
300
250
200
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
150
100
50
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
4 (8)
BSM 200 GB 60 DLC
2000-02-08

4페이지










200GB60DLC 전자부품, 판매, 대치품
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 200 GB 60 DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
1
Z thJC = f (t)
0,1
Zth:IGBT
0,01 Zth:Diode
0,001
0,001
0,01
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [sec] : IGBT
ri [K/kW] : Diode
τi [sec] : Diode
0,1
t [sec]
1
1
7,2
0,0018
102,2
0,0487
2
89,1
0,0240
98,0
0,0169
3
59,9
0,0651
61,6
0,1069
10
4
13,8
0,6626
28,2
0,9115
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, RG,off= 1,5Ω, Tvj= 125°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
IC,Modul
IC,Chip
100 200 300 400 500 600 700
VCE [V]
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