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P7NB80FP 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 P7NB80FP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P7NB80FP 자료 제공

부품번호 P7NB80FP 기능
기능 STP7NB80
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


P7NB80FP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P7NB80FP 데이터시트, 핀배열, 회로
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STP7NB80
® STP7NB80FP
N - CHANNEL 800V - 1.2- 6.5A - TO-220/TO-220FP
PowerMESHMOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
ST P7N B80
ST P7N B80 FP
800 V
800 V
< 1.5
< 1.5
6.5 A
6.5 A
s TYPICAL RDS(on) = 1.2
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an
advanced family of power MOSFETs with
outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
and switching characteristics.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Sy mb o l
Parameter
VDS Drain-source Volt age (VGS = 0)
V DGR
VGS
ID
ID
IDM ()
Ptot
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope
VISO
Ts tg
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
( *) Limited only maximum temperature allowed
April 1999
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Value
Un it
STP7NB80 STP7NB80FP
800 V
800 V
± 30
V
6.5
6. 5 (* )
A
4.1
4. 1 (* )
A
26 26 A
135
1.08
40
0.32
W
W /o C
4.5 4.5 V/ns
--
2000
oC
-65 to 150
oC
150 oC
( 1) ISD 6.5A, di/dt 200 A/µs, VDD V(BR)DSS, Tj TJMAX
1/9




P7NB80FP pdf, 반도체, 판매, 대치품
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STP7NB80/FP
Thermal Impedance for TO-220
Thermal Impedance for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9

4페이지










P7NB80FP 전자부품, 판매, 대치품
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DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
STP7NB80/FP
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/9

7페이지


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