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부품번호 | KRC836E 기능 |
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기능 | (KRC836E - KRC842E) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | ||
제조업체 | Korea Electronics | ||
로고 | |||
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KRC836E~KRC842E
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION
FEATURES
With Built-in Bias Resistors.
Simplify Circuit Design.
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
IN
R2
COMMON
TYPE NO.
KRC836E
KRC837E
KRC838E
KRC839E
KRC840E
KRC841E
KRC842E
R1(k )
1
2.2
2.2
4.7
10
47
100
R2(k )
10
2.2
10
10
4.7
10
100
B
B1
1 6 DIM MILLIMETERS
A 1.6+_ 0.05
A1 1.0 +_ 0.05
2 5 B 1.6+_ 0.05
B1 1.2 +_ 0.05
3 4 C 0.50
D 0.2+_ 0.05
H 0.5+_ 0.05
J 0.12+_ 0.05
PP
P5
1. Q1 COMMON (EMITTER)
2. Q2 COMMON (EMITTER)
3. Q2 IN (BASE)
4. Q2 OUT (COLLECTOR)
5. Q1 IN (BASE)
6. Q1 OUT (COLLECTOR)
TES6
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
65 4
Q1
Q2
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Output Voltage
Input Voltage
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
* Total Rating.
KRC836E~842E
KRC836E
KRC837E
KRC838E
KRC839E
KRC840E
KRC841E
KRC842E
KRC836E~842E
SYMBOL
VO
VI
IO
PD *
Tj
Tstg
MARK SPEC
TYPE KRC836E KRC837E KRC838E KRC839E KRC840E KRC841E KRC842E
MARK
Y2
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
2002. 7. 10
Revision No : 2
12 3
RATING
50
10, -5
12, -10
12,-5
20, -7
30, -10
40, -15
40, -10
100
200
150
-55 150
UNIT
V
V
mA
mW
Marking
Type Name
654
1 23
1/6
KRC836E~KRC842E
KRC838E
100
50
30
I O - V I(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
VO =0.2V
3 10
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
KRC839E
100
50
30
I O - V I(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
VO =0.2V
3 10
INPUT ON VOLTAGE V I(ON) (V)
KRC838E
3k
I O - V I(OFF)
1k
500
300
100
50
30
0
VO =5V
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
INPUT OFF VOLTAGE V I(OFF) (V)
KRC839E
3k
I O - V I(OFF)
1k
500
300
100
50
VO =5V
30
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
INPUT OFF VOLTAGE V I(OFF) (V)
KRC838E
200
GI - IO
100
50
30
10
1
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
VO =5V
3 10 30 100
OUTPUT CURRENT IO (mA)
2002. 7. 10
Revision No : 2
KRC839E
200
GI - IO
100
50
Ta=100 C
Ta=25 C
Ta=-25 C
30
10
1
VO =5V
3 10 30 100
OUTPUT CURRENT IO (mA)
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