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부품번호 | KRC103M 기능 |
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기능 | (KRC101M - KRC106M) EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR | ||
제조업체 | Korea Electronics | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.
FEATURES
ᴌWith Built-in Bias Resistors.
ᴌSimplify Circuit Design.
ᴌReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
IN
R2
COMMON
BIAS RESISTOR VALUES
TYPE NO. R1(kή) R2(kή)
KRC101M
4.7
4.7
KRC102M
10
10
KRC103M
22
22
KRC104M
47
47
KRC105M
2.2
47
KRC106M
4.7
47
KRC101M~KRC106M
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
B
HM
C
EE
1 2 3N
L
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
O DIM MILLIMETERS
A 3.20 MAX
B 4.30 MAX
C 0.55 MAX
D 2.40+_ 0.15
E 1.27
F 2.30
G 14.00+_ 0.50
H 0.60 MAX
J 1.05
K 1.45
L 25
M 0.80
N 0.55 MAX
O 0.75
TO-92M
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)
CHARACTERISTIC
Output Voltage
KRC101Mᴕ106M
KRC101M
KRC102M
Input Voltage
KRC103M
KRC104M
KRC105M
KRC106M
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
KRC101Mᴕ106M
Storage Temperature Range
SYMBOL
VO
VI
IO
PD
Tj
Tstg
RATING
50
20, -10
30, -10
40, -10
40, -10
12, -5
20, -5
100
400
150
-55ᴕ150
UNIT
V
V
mA
mW
ᴱ
ᴱ
1998. 7. 8
Revision No : 3
1/6
KRC101M~KRC106M
100 KRC101M
VO =0.2V
50
30
I O - VI(ON)
25
-25
100
10
5
3
Ta=25 C
Ta=-25 C
1
0.5
0.3
0.1
0.3 1
3 10 30
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
100
100 KRC102M
VO =0.2V
50
30
I O - VI(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
3 10 30
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
100
100 KRC103M
VO =0.2V
50
30
I O - VI(ON)
K
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
3 10 30
INPUT ON VOLTAGE V I(ON) (V)
100
KRC105M
100
50 VO=0.2V
30
I O - VI(ON)
K
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
3 10 30
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
100
1998. 7. 8
Revision No : 3
100 RC104M
VO =0.2V
50
30
I O - VI(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
3 10 30
INPUT ON VOLTAGE V I(ON) (V)
100
RC106M
100
50 VO =0.2V
30
I O - VI(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1
3 10 30
INPUT ON VOLTAGE V I(ON) (V)
100
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