Datasheet.kr   

KRC644T 데이터시트 PDF




Korea Electronics에서 제조한 전자 부품 KRC644T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KRC644T 자료 제공

부품번호 KRC644T 기능
기능 (KRC641T - KRC646T) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
제조업체 Korea Electronics
로고 Korea Electronics 로고


KRC644T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

KRC644T 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION.
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPPLICATION.
FEATURES
With Built-in Bias Resistors.
Simplify Circuit Design.
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.
High Output Current : 800mA.
EQUIVALENT CIRCUIT
OUT
R1
IN
R2
COMMON(+)
TYPE NO.
KRC641T
KRC642T
KRC643T
KRC644T
KRC645T
KRC646T
R1 (k ) R2 (k )
11
2.2 2.2
4.7 4.7
10 10
1 10
2.2 10
KRC641T~KRC646T
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
E
B
15
2
34
DIM MILLIMETERS
A 2.9+_ 0.2
B 1.6+0.2/-0.1
C 0.70+_ 0.05
D 0.4+_ 0.1
E 2.8+0.2/-0.3
F 1.9+_ 0.2
G 0.95
H 0.16+_ 0.05
I 0.00-0.10
J 0.25+0.25/-0.15
K 0.60
L 0.55
H
JJ
1. Q1 IN (BASE)
2. Q1, Q 2 COMMON (EMITTER)
3. Q2 IN (BASE)
4. Q2 OUT (COLLECTOR)
5. Q1 OUT (COLLECTOR)
TSV
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)
54
Q1 Q2
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Output Voltage
KRC641T~646T
KRC641T
KRC642T
Input Voltage
KRC643T
KRC644T
KRC645T
KRC646T
Output Current
Power Dissipation
Junction Temperature
KRC641T~646T
Storage Temperature Range
* Package mounted on a ceramic board (600 0.8 )
SYMBOL
VO
VI
IO
PD *
Tj
Tstg
MARK SPEC
TYPE KRC641T KRC642T KRC643T KRC644T KRC645T KRC646T
MARK
NA
NB
NC
ND
NE
NF
12
RATING
50
10, -10
12, -10
20, -10
30, -10
10, -5
12, -6
800
0.9
150
-55 150
Marking
5
3
4
Type Name
123
UNIT
V
V
mA
W
Lot No.
2002. 7. 10
Revision No : 2
1/5




KRC644T pdf, 반도체, 판매, 대치품
KRC641T~KRC646T
KRC643T
500
300 VO =0.3V
100
50
30
I O - VI(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1 3 10 30 100 300
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
1k
KRC644T
500
300 VO =0.3V
100
50
30
I O - VI(ON)
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
Ta=25 C
Ta=-25 C
0.3 1 3 10 30 100 300 1k
INPUT ON VOLTAGE VI(ON) (V)
KRC643T
5k
3k VO =5V
I O - V I(OFF)
1k
500
300
100
50
30
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
INPUT OFF VOLTAGE VI(OFF) (V)
2.0
KRC643T
300
VO =5V
100
50
30
Ta=100 C
GI - IO
Ta=25 C
Ta=-25 C
10
5
3
1
1
3 10
30 100 300
OUTPUT CURRENT IO (mA)
1k
2002. 7. 10
Revision No : 2
KRC644T
5k
3k VO =5V
1k
500
300
I O - V I(OFF)
100
50
30
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
INPUT OFF VOLTAGE VI(OFF) (V)
KRC644T
3k
VO =5V
1k
500
300
GI - IO
Ta=100 C
100
50
30
10
1
Ta=25 C
Ta=-25 C
3 10
30 100 300
OUTPUT CURRENT IO (mA)
1k
4/5

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ KRC644T.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
KRC644T

(KRC641T - KRC646T) EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

Korea Electronics
Korea Electronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵