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P55NF06 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 P55NF06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P55NF06 자료 제공

부품번호 P55NF06 기능
기능 STP55NF06
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


P55NF06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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P55NF06 데이터시트, 핀배열, 회로
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ω, 50 A STripFET™ II Power MOSFET in
D²PAK, TO-220 and TO-220FP packages
Datasheet — production data
Features
Order code
STB55NF06
STP55NF06
STP55NF06FP
VDSS RDS(on) max.
ID
60 V
< 0.018 Ω
50 A
50 A (1)
1. Refer to soa for the max allowable current value on
FP-type due to Rth value
100% avalanche tested
Exceptional dv/dt capability
Applications
Switching application
Description
These Power MOSFETs have been developed
using STMicroelectronics’ unique STripFET
process, which is specifically designed to
minimize input capacitance and gate charge. This
renders the devices suitable for use as primary
switch in advanced high-efficiency isolated DC-
DC converters for telecom and computer
applications, and applications with low gate
charge driving requirements.
TAB
3
2
1
TO-220
TAB
3
1
D2PAK
3
2
1
TO-220FP
Figure 1. Internal schematic diagram
$OR4!"
'
3
!-V
Table 1. Device summary
Order code
Marking
STB55NF06
B55NF06
STP55NF06
P55NF06
STP55NF06FP
P55NF06FP
Package
D²PAK
TO-220
TO-220
Packaging
Tape and reel
Tube
May 2012
This is information on a product in full production.
Doc ID 7544 Rev 11
1/19
www.st.com
19




P55NF06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 4. On/off states
Symbol
Parameter
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source
on-resistance
Test conditions
ID = 250 µA, VGS =0
VDS = 60 V
VDS = 60 V,@ TJ= 125 °C
VGS = ± 20 V
VDS = VGS, ID = 250 µA
VGS = 10 V, ID = 27.5 A
Min. Typ. Max. Unit
60 V
1 µA
10 µA
±100 nA
2 3 4V
0.015 0.018 Ω
Table 5.
Symbol
Dynamic
Parameter
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Test conditions
VDS = 25 V, f = 1MHz,
VGS = 0
VDD = 30 V, ID = 27.5 A
RG = 4.7 Ω VGS = 10 V
(see Figure 15)
VDD = 48 V, ID = 55 A,
VGS = 10 V
(see Figure 16)
Min. Typ. Max. Unit
1300
- 300
105
pF
pF
pF
20
50
-
36
15
ns
ns
ns
ns
44.5 60 nC
- 10.5
nC
17.5 nC
4/19 Doc ID 7544 Rev 11

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P55NF06 전자부품, 판매, 대치품
STB55NF06, STP55NF06, STP55NF06FP
Figure 8. Transconductance
Electrical characteristics
Figure 9. Static drain-source on-resistance
Figure 10. Gate charge vs gate-source voltage Figure 11. Capacitance variations
Figure 12. Normalized gate threshold voltage Figure 13. Normalized on-resistance vs
vs temperature
temperature
Doc ID 7544 Rev 11
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