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BUP311D 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 BUP311D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUP311D 자료 제공

부품번호 BUP311D 기능
기능 IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


BUP311D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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BUP311D 데이터시트, 핀배열, 회로
Infineon
BUP 311D
IGBT With Antiparallel Diode
Preliminary data sheet
• Low forward voltage drop
• High switching speed
• Low tail current
• Latch-up free
• Including fast free-wheel diode
Former Development ID: BUP 3JKD
Type
BUP 311D
VCE IC
1200V A
Maximum Ratings
Parameter
Collector-emitter voltage
Collector-gate voltage
RGE = 20 k
Gate-emitter voltage
DC collector current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed collector current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
Diode forward current
TC = 100 °C
Pulsed diode current, tp = 1 ms
TC = 25 °C
Power dissipation
TC = 25 °C
Chip or operating temperature
Storage temperature
Package
TO-218 AB
Pin 1
G
Pin 2
C
Pin 3
E
Ordering Code
CO6N70R7E8Q-AU4E1S0T2
Symbol
VCE
VCGR
VGE
IC
ICpuls
IF
IFpuls
Ptot
Tj
Tstg
Values
1200
Unit
V
1200
± 20
20
12
A
40
tbd
tbd
125
-55 ... + 150
-55 ... + 150
W
°C
Semiconductor Group
1
May-06-1999




BUP311D pdf, 반도체, 판매, 대치품
Infineon
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
IF = 8 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
IF = 8 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
Reverse recovery time
IF = 8 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -400 A/µs, Tj = 25 °C
Reverse recovery charge
IF = 15 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -400 A/µs
Tj = 25 °C
Tj = 125 °C
VF
-
-
trr
-
Qrr
-
-
BUP 311D
V
tbd tbd
tbd -
ns
tbd tbd
µC
tbd tbd
tbd tbd
Semiconductor Group
4
May-06-1999

4페이지










BUP311D 전자부품, 판매, 대치품
Infineon
Typ. switching time
t = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
par.:VCE=600V, VGE = ±15V, RG =153
10 3
t
ns
tdoff
10 2 tr
tf
tdon
BUP 311D
Typ. switching time
t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.:VCE=600V, VGE = ±15V, IC =8 A
10 3
tdoff
t
ns
10 2
tf
tdon
tr
10 1
0 4 8 12 16 20 24 A 30
IC
10 1
0
50 100 150 200 250 300 350 400 500
RG
Typ. switching losses
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
par.:VCE=600V, VGE = ±15V, RG =153
10
mWs
E8
7
6
5
Eon
4
3
2
Eoff
1
0
0 4 8 12 16 20 24 A 30
IC
Typ. switching losses
E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.:VCE=600V, VGE = ±15V, IC =8 A
10
mWs
E8
7
6
5
4
3
Eon
2
1 Eon
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 500
RG
Semiconductor Group
7
May-06-1999

7페이지


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