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P16NF06 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 P16NF06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P16NF06 자료 제공

부품번호 P16NF06 기능
기능 STP16NF06
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


P16NF06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 14 페이지수

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P16NF06 데이터시트, 핀배열, 회로
STP16NF06
STP16NF06FP
N-channel 60V - 0.08- 16A - TO-220/TO-220FP
STripFET™ II Power MOSFET
General features
Type
STP16NF06
STP16NF06FP
VDSS
60V
60V
RDS(on)
<0.1
<0.1
ID
16A
11A
Exceptional dv/dt capability
Low gate charge at 100°C
Application oriented characterization
Description
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronics unique "Single Feature
Size™" strip-based process. The resulting
transistor shows extremely high packing density
for low on-resistance, rugged avalanche
characteristics and less critical alignment steps
therefore a remarkable manufacturing
reproducibility.
Applications
Switching application
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STP16NF06
STP16NF06FP
Marking
P16NF06
P16NF06
Package
TO-220
TO-220FP
Packaging
Tube
Tube
February 2007
Rev 8
1/14
www.st.com
14




P16NF06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STP16NF06 - STP16NF06FP
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 3. On/off states
Symbol
Parameter
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
IDSS
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
Test conditions
Min.
ID = 250µA, VGS =0
VDS = max ratings
VDS = max ratings,
TC = 125°C
VGS = ± 20V
VDS = VGS, ID = 250µA
VGS = 10V, ID = 8A
60
2
Typ. Max. Unit
V
1 µA
10 µA
±100 nA
4V
0.08 0.1
Table 4.
Symbol
Dynamic
Parameter
Test conditions
gfs (1)
Forward
transconductance
VDS = 15V, ID = 8A
Ciss
Coss
Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS = 25V, f = 1MHz,
VGS = 0
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
VDD = 30V, ID = 8A
RG = 4.7VGS = 10V
(see Figure 15)
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
VDD = 48V, ID = 16A,
VGS = 10V
(see Figure 16)
1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%.
Min. Typ. Max. Unit
6.5 S
315 pF
70 pF
30 pF
7 ns
18 ns
17 ns
6 ns
10 13 nC
3.5 nC
3.5 nC
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P16NF06 전자부품, 판매, 대치품
STP16NF06 - STP16NF06FP
Figure 7. Transconductance
Electrical characteristics
Figure 8. Static drain-source on resistance
Figure 9. Gate charge vs. gate-source voltage Figure 10. Capacitance variations
Figure 11. Normalized gate threshold voltage Figure 12. Normalized on resistance vs.
vs. temperature
temperature
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