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IRL3714L 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRL3714L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRL3714L 자료 제공

부품번호 IRL3714L 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRL3714L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IRL3714L 데이터시트, 핀배열, 회로
PD - 94175A
SMPS MOSFET
IRL3714
IRL3714S
IRL3714L
Applications
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
HEXFET® Power MOSFET
VDSS
20V
RDS(on) max
20m
ID
36A
l Ultra-Low Gate Impedance
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3714
D2Pak
IRL3714S
TO-262
IRL3714L
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 70°C
IDM
PD @TC = 25°C
PD @TC = 70°C
TJ , TSTG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipationƒ
Maximum Power Dissipationƒ
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Thermal Resistance
RθJC
RθCS
RθJA
RθJA
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface „
Junction-to-Ambient„
Junction-to-Ambient (PCB mount)…
Max.
20
± 20
36
31
140
47
33
0.31
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
3.2
–––
62
40
Units
°C/W
Notes  through † are on page 11
www.irf.com
1
06/19/01




IRL3714L pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRL3714/3714S/3714L
10000
1000
100
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
15
ID = 14
12
VDS = 16V
VDS = 10V
9
6
3
0
0 4 8 12 16 20
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.00
100.00 TJ = 175°C
10.00
TJ = 25°C
1.00
0.10
0.0
VGS = 0V
1.0 2.0
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
3.0
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
1000
100
10
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100µsec
1msec
1 10msec
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
0.1
1
10
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
100
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com

4페이지










IRL3714L 전자부품, 판매, 대치품
IRL3714/3714S/3714L
D.U.T
+
‚
-

RG
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
ƒ
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
-
„
+
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
- VDD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
VGS=10V *
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery
dv/dt
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
VDD
Ripple 5%
ISD
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFET® Power MOSFETs
www.irf.com
7

7페이지


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