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IRFPG40 데이터시트 PDF




Intersil Corporation에서 제조한 전자 부품 IRFPG40은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IRFPG40 자료 제공

부품번호 IRFPG40 기능
기능 N-Channel Power MOSFET / Transistor
제조업체 Intersil Corporation
로고 Intersil Corporation 로고


IRFPG40 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IRFPG40 데이터시트, 핀배열, 회로
Data Sheet
IRFPG40
July 1999 File Number 2879.2
4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel
Power MOSFET
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,
tested, and guaranteed to withstand a specified level of
energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of
these power MOSFETs are designed for applications such
as switching regulators, switching convertors, motor drivers,
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate drive power.
These types can be operated directly from integrated
circuits.
Formerly developmental type TA09850.
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
IRFPG40
TO-247
IRFPG40
NOTE: When ordering, include the entire part number.
Features
• 4.3A, 1000V
• rDS(ON) = 3.500
• UIS SOA Rating Curve (Single Pulse)
• -55oC to 150oC Operating and Storage Temperature
Symbol
D
G
S
Packaging
JEDEC STYLE TO-247
SOURCE
DRAIN
GATE
DRAIN
(TAB)
4-365
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999




IRFPG40 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRFPG40
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)
6
PULSE DURATION = 80µs
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
5 VGS = 10V
4
3
2
1
0
02
46
8 10 12
ID, DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 7. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
3.0
PULSE DURATION = 80µs
2.7 DUTY CYCLE = 0.5% MAX
ID = 2.5A, VGS = 10V
2.5
2.2
2.0
1.7
1.5
1.3
1.0
0.8
0
-50 0 50 100
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
150
FIGURE 8. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
1.3 ID = 250µA
1.2
1.1
1.0
0.9
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 150
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs. JUNCTION TEMPERATURE
3000
2500
CISS
2000 COSS
1500
1000
CRSS
VGS = 0V, f = 1MHz
CISS = CGS + CGD
CRSS = CGD
COSS CDS + CGD
500
0
1 10 100
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
FIGURE 10. CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
8
PULSE DURATION = 80µs
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
VDS 70V
6
4
2
25oC
150oC
100
PULSE DURATION = 80µs
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
150oC
10
25oC
1
0
0 1 2 34 5 6
ID, DRAIN CURRENT (A)
FIGURE 11. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
0.1
0
0.3 0.6 0.9 1.2
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
1.5
FIGURE 12. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
4-368

4페이지












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