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BUZ906X4S 데이터시트 PDF




ETC에서 제조한 전자 부품 BUZ906X4S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BUZ906X4S 자료 제공

부품번호 BUZ906X4S 기능
기능 (BUZ905X4S / BUZ906X4S) NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT
제조업체 ETC
로고 ETC 로고


BUZ906X4S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BUZ906X4S 데이터시트, 핀배열, 회로
MAGNA
TEC
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
BUZ905X4S
BUZ906X4S
NEW PRODUCT UNDER DEVELOPMENT
P–CHANNEL
POWER MOSFET
3 1 .5 (1 .2 4 0 )
3 1 .7 (1 .2 4 8 )
7 .8 (0 .3 0 7 )
8 .2 (0 .3 2 2 )
12
W = 4 .1 (0 .1 6 1 )
4 .3 (0 .1 6 9 )
H=
4 .8
4 .9
(0 .1 8 7 )
(0 .1 9 3 )
(4 places)
1 1 .8 (0 .4 6 3 )
1 2 .2 (0 .4 8 0 )
8 .9 (0 .3 5 0 )
9 .6 (0 .3 7 8 )
Hex Nut M 4
(4 places)
R
4 .0 (0 .1 5 7 )
4 .2 (0 .1 6 5 )
0 .7 5 (0 .0 3 0 )
0 .8 5 (0 .0 3 3 )
43
3.3 (0.129)
3.6 (0.143)
14.9 (0.587)
15.1 (0.594)
3 0 .1 (1 .1 8 5 )
3 0 .3 (1 .1 9 3 )
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
R
=
4.0 (0.157)
(2 Places)
5 .1 (0 .2 0 1 )
5 .9 (0 .2 3 2 )
1 .9 5 (0 .0 7 7 )
2 .1 4 (0 .0 8 4 )
SOT227
Pin 1 – Drain
Pin 2 – Source
Pin 3 – Gate
Pin 4 – Drain
POWER MOSFETS FOR
AUDIO APPLICATIONS
FEATURES
• HIGH SPEED SWITCHING
• P–CHANNEL POWER MOSFET
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
• HIGH VOLTAGE (160V & 200V)
• HIGH ENERGY RATING
• ENHANCEMENT MODE
• INTEGRAL PROTECTION DIODE
• N–CHANNEL ALSO AVAILABLE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VDSX
Drain – Source Voltage
VGS Gate – Source Voltage
ID Continuous Drain Current
ID(PK)
Body Drain Diode
PD
Total Power Dissipation
@ Tcase = 25°C
Tstg Storage Temperature Range
Tj Maximum Operating Junction Temperature
RθJC
Thermal Resistance Junction – Case
BUZ905X4S BUZ906X4S
–160V
–200V
±14V
–32A
–32A
500W
–55 to 150°C
150°C
0.3°C/W
Magnatec. Telephone (0455) 554711. Telex: 341927. Fax (0455) 552612.
Prelim. 4/94





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