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부품번호 | BUZ906DP 기능 |
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기능 | (BUZ905DP / BUZ906DP) P-CHANNEL POWER MOSFET FOR AUDIO APPLICATIONS | ||
제조업체 | ETC | ||
로고 | |||
MAGNA
TEC
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
3.3 Dia.
20.0
BUZ905DP
BUZ906DP
P–CHANNEL
POWER MOSFET
5.0
POWER MOSFETS FOR
AUDIO APPLICATIONS
123
2.0
3.4
1.0
2.0
1.2
5.45 5.45
TO–3PBL
Pin 1 – Gate
Pin 2 – Source
Case is Source
0.6
2.8
Pin 3 – Drain
FEATURES
• HIGH SPEED SWITCHING
• P–CHANNEL POWER MOSFET
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
• HIGH VOLTAGE (160V & 200V)
• HIGH ENERGY RATING
• ENHANCEMENT MODE
• INTEGRAL PROTECTION DIODE
• N–CHANNEL ALSO AVAILABLE AS
BUZ900DP & BUZ901DP
• DOUBLE DIE PACKAGE FOR MAXIMUM
POWER AND HEATSINK SPACE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VDSX
Drain – Source Voltage
VGSS
Gate – Source Voltage
ID Continuous Drain Current
ID(PK)
Body Drain Diode
PD
Total Power Dissipation
@ Tcase = 25°C
Tstg Storage Temperature Range
Tj Maximum Operating Junction Temperature
RθJC
Thermal Resistance Junction – Case
BUZ905DP
-160V
BUZ906DP
-200V
±14V
-16A
-16A
250W
–55 to 150°C
150°C
0.5°C/W
Magnatec. Telephone (01455) 554711. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 2/95
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BUZ906DP | (BUZ905DP / BUZ906DP) P-CHANNEL POWER MOSFET FOR AUDIO APPLICATIONS | ETC |
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