Datasheet.kr   

STD8N06 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD8N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD8N06 자료 제공

부품번호 STD8N06 기능
기능 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD8N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STD8N06 데이터시트, 핀배열, 회로
STD8N06
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STD8N06
VDSS
60 V
R DS( on)
< 0.25
ID
8A
s TYPICAL RDS(on) = 0.21
s AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
s 100% AVALANCHE TESTED
s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
s LOW GATE CHARGE
s HIGH CURRENT CAPABILITY
s 175oC OPERATING TEMPERATURE
s APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
s THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)
s SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SOLENOID AND RELAY DRIVERS
s REGULATORS
s DC-DC & DC-AC CONVERTERS
s MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
s AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
3
2
1
IPAK
TO-251
(Suffix ”-1”)
3
1
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
P ar amete r
VD S Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDG R Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate-source Voltage
ID Drain Current (continuous) at T c = 25 oC
ID Drain Current (continuous) at T c = 100 oC
ID M()
Ptot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
December 1996
Value
60
60
± 20
8
5.6
32
35
0. 23
-65 to 175
175
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W /o C
oC
oC
1/10




STD8N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
STD8N06
Derating Curve
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
4/10

4페이지










STD8N06 전자부품, 판매, 대치품
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STD8N06
Fig. 4: Gate Charge Test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
7/10

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ STD8N06.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STD8N06

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

ST Microelectronics
ST Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵