Datasheet.kr   

MDA2061 데이터시트 PDF




ITT에서 제조한 전자 부품 MDA2061은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MDA2061 자료 제공

부품번호 MDA2061 기능
기능 (MDA2061 / MDA2062)
제조업체 ITT
로고 ITT 로고


MDA2061 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 7 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MDA2061 데이터시트, 핀배열, 회로
Sheet4U.comОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ.
taЭлектрически
стираемое
перепрограммируемое
aпостоянное запоминающее устройство (ЭСППЗУ),
.Dвыполненное по п-ка-нальной технологии с плавающим
затвором и организацией памяти 128слов по 8 бит в
wкаждом (128 х 8).
wMDA2061/2062 предназначена для применения как
w энергонезависимое перепрограммируемое запоминающее
устройство совместно с комплектом микросхем серии
MDA2061/2062
ПЗУ
ОСОБЕННОСТИ . о' Хранение информации при
снятии питания
Входные и выходные сигналы ТТЛ-уровня
Чтение и программирование посредством IM-шины
Необходимость дополнительного источника питания
(+20 В) для программирования
Необходимость дополнительного тактового сигнала
CCU2000, микропроцессоров управления ТВ-приемниками
серии МАА4000 или контроллерами ТВ-приемников серий
SAA1280. SAA1290 и SAA1293. Она предназначена для
mзаписи информации о настройке радиоканала ТВ-
приемника, некоторых значений управления аналоговыми
oвыходами, а также хранения значений регулировок,
сделанных на заводе-изготовителе телевизионного
.cприемника. Записанная информация сохраняется при
снятии питания с микросхемы. Чтение и программирование
информации осуществляется через IM-шину (См.
Описание IM-шины. стр. 290). Входные и выходные
Uсигналы - ТТЛ-уровня. Для микросхемы MDA2062 (в
отличие от MDA2061) входная адресация обеспечивает
t4возможность работы двух микросхем параллельно, чтобы
получить общий объем памяти 2048 бит.
(частотой w1 кГц) для нормального выполнения
операций по программированию
Возможность (только для MDA2062) расширения
объема памяти путем параллельного включения
двух микросхем
Поставка микросхем заказчику
Микросхемы отгружаются с установленной "1" во всех
разрядах за исключением ячеек с адресами #192 и #160,
которые могут содержать информацию для замены. Если
содержимое ячеек памяти с адресами # 192 и # 160
отлично от 255D, его не следует изменять, так как это
приводит к появлению ложной информации внутри
адресного пространства памяти.
eeЦОКОЛЕВКА КОРПУСОВ.
www.DataSh15.Зак.ЗОО.
225
www.DataSheet4U.com




MDA2061 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРГРАММИРУЕМОЕ ПЗУ
M DA2061/2062
Все напряжения измерены относительно вывода 7 (G
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТ ИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМ!
ND) FT POB И
РЕЖ
ИМОВ
ПАРАМЕТ Р
СИМВОЛ
Напряжение питания
VOD
Напряжение программирования
Vp
Ток программирования
IP
Входное напряжение
v,
Выходной ток
*10
Диапазон рабочих температур окружающей среды
ТА
Т емпература хранения
Те
"Записанные данные могут быть повреждены при Т , выше +85 жи
С. РЕКОМЕНДОВАННЫЕ РАБОЧИЕ ХАРАКТ ЕРНОГО
ЗНАЧЕНИЕ не менее типовое не более ЕДИНИЦА
ИЗМЕРЕНИЯ
-0.5 - 6
В
Voo-0.8
- 22
В
- 7—
мА
-0.3 V^o
—' 5-
В
мА
0 - 65
С
-40 — 125
С
ПАРАМЕТ Р
символ
Напряжение питания
Voo
Напряжение программирования не при программировании при Vp Vp
программировании
Максимальный ток программирования
Входные напряжения выводы 1, 6, 8, 9. 10 и 13 НИЗКИЙ
уровень ВЫСОКИЙ уровень вывод 12 НИЗКИЙ уровень
ВЫСОКИЙ уровень
Ipn»
V..
VH
Vi
VIH
Т актовая частота памяти
Скв аж нос ть
Время нарастания Урд
Время нарастания Vp
Время задержки Vp - Удр
Время задержки Vpo - V^
Время спада Vpo
Время спада Vp
Время задержки V^ - V^
Время задержки V^ - Vp
'.3
"t3
t.
<2
»3
<4
ts
te
(7
t».
ЗНАЧЕНИЕ не менее типовое не более ЕДИНИЦА
ИЗМЕРЕНИЯ
4.75
5.0 5.25
В
Voo-0.7 19 — 21 20 21
ВВ
2.4 2.4
—5
— 0.8 - 1.3
мА
В
В
В
В
0.9
0.2
-
0.01
0
-
0.01
0
-
1.0 1.1
— 99.8
— 500
— 500
— 50
—-
— 500
- 500
--
— 50
кГц
%
мс
мс
мс
мс
мс
мс
мс
мс
228

4페이지










MDA2061 전자부품, 판매, 대치품
ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПЗУ
M DA2061/2062
Чтение смещ ением (относительно
опорного напряжения)
Во время режима чтения порог напряжения ячейки памяти
сравнивается с опорным напряжением. На выходе
компаратора возникает уровень логической "I" для ячейки, чей
порог выше, чем опора и логический "О" - для ячейки, чей
порог ниже опоры.
Тестовый байт устанавливает значения сдвига опорного
напряжения в положительном или отрицательном
направлении с тремя значениями: ±0.3 В. ±0.6 В. ±0.9 В.
Во время чтения смещением опорного напряжения сдвигом
опорного напряжения в положительную сторону проводят
определение граничного напряжения для логических "1", а
сдвигом в отрицательную сторону - для логических "О". Это
определение граничного напряжения производится цифровым
образом только посредством IM-шины, при этом не нужно
переключать напряжение питания (заблокировать РАМР-
функцию).
Величина сдвига Установка разрядов тестового байта
опорного
н ап р я жен и я
7 65 4 321 0
+0.9 В
х 0 1 0 X1 X 1
+0.6 В
х 0 1 0 X0 X 1
+0.3 В
-0.3 В
х 0 1 0 X1 х 0
х 1 1 0 X0 X 0
-0.6В
-0.9В
х 0 1 1 X0 X 0
х 1 1 1 X0 X 0
Выключение избыточности
При установке бита 1 в тестовом байте, резервные
строки не могут быть доступны ни в режиме
программирования, ни в любом режиме чтения, даже
если дополнительные регистры должным образом
загружены. Эта функция тестового байта не оказывает
влияния на блочные операции программирования.
Выключение схемы формирования
внутреннего источника напряжения
программирования
Микросхема MDA2062 содержит так называемую РАМР-
схему для формирования внутреннего напряжения про-
граммирования. Эта схема необходима для
осуществления процесса записи/стирания ячеек памяти.
Установка бита 3 тестового байта блокирует эту схему
так, что внутренний источник напряжения
программирования, согласно временным диаграммам
(Рис. 7) сразу же отсоединяется от источника Vpo и
подключается к источнику Vp во время четвертого спада
(перехода с НИЗКОГО на ВЫСОКИЙ уровень) тактовой
частоты (1кГц) и отсоединяется от Vp источника и
заново подключается к источнику Урд во время
четырнадцатого спада (перехода с НИЗКОГО на
ВЫСОКИ И уровень) тактовой частоты (1кГц) после
прихода последнего переднего фронта сигнала IMI,
запускающего программный цикл. Это делается для
того, чтобы внутренний источник напряжения
программирования мог подключаться к внешнему
источнику питания через вывод Vp.
Таблица 2. Режимы блочного программирования
Режим
Выбираются все байты
Разряды адреса памяти
76 54 32 10
1 X х х XX 0 х
[DEC]
128
Примечание
Включая 8 байт в резервных строках
Выбираются все четные байты
Выбираются все нечетные байты
1
XX
XX
10
11
130
131
Резервные байты не предопределены,их следует определить
как четные байты
Резервные байты не предопределены
Рис. 7. Временная диаграмма при отключенной схеме ф ормирования внутреннего источника напряжения
программирования
231

7페이지


구       성 총 7 페이지수
다운로드[ MDA2061.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MDA206

Diode ( Rectifier )

American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
MDA2061

(MDA2061 / MDA2062)

ITT
ITT

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵