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부품번호 | PF0031 기능 |
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기능 | MOS FET Power Amplifier Module | ||
제조업체 | Hitachi | ||
로고 | |||
전체 13 페이지수
heet4U.com PF0031MOS FET Power Amplifier Module for Mobile Phone
www.DataS mApplication
.coPF0031: For NMT900 890 to 925 MHz
Features
U• High stability: Load VSWR ≈ 20:1
t4• Low power control current: 400 µA
• Thin package: 5 mm t
eePin Arrangement
h• RF-B2
ataS2
www.D www.DataSheet4U.com5 1
ADE-208-461 (Z)
1st Edition
July 1, 1996
5
4
3
1: Pin
2: VAPC
3: VDD
4: Pout
5: GND
PF0031
Test Fixture Pattern
26.5
3.5
2.88
4.5 3 16
2.88
64
28
4
Unit: mm
VAPC
VDD
Grass Epoxy Double sided PCB
(t = 1.6 mm, εr = 4.8)
100
Mechanical Characteristics
Item
Torque for screw up the heatsink flange
Warp size of the heatsink flange: S
Conditions
M3 Screw Bolts
S
Spec
4 to 6 kg•cm
S=0
+0.3/– 0 mm
4
4페이지 VAPC, ηT, VSWR (in) vs. Frequency
6 10
Pin = 2 mW
VDD = 12.5 V
Pout = 6 W
5 8 Tc = 25°C
ηT
46
60
50
40
34
VAPC
30
22
VSWRin
20
10
10
890 895 900 905 910 915
Frequency f (MHz)
Pout, ηT, VSWR (in) vs. Frequency
6 20
Pin = 2 mW
VDD = 12.5 V
VAPC = 4 V
5 16 Tc = 25°C
ηT
60
50
4 12
40
38
Pout
30
24
VSWRin
20
10
10
890 895 900 905 910 915
Frequency f (MHz)
PF0031
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 13 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PF0030 | MOS FET Power Amplifier | Hitachi Semiconductor |
PF0031 | MOS FET Power Amplifier Module | Hitachi |
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