Datasheet.kr   

11EQS03L 데이터시트 PDF




Nihon Inter Electronics에서 제조한 전자 부품 11EQS03L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 11EQS03L 자료 제공

부품번호 11EQS03L 기능
기능 Low Forward Voltage drop Diode
제조업체 Nihon Inter Electronics
로고 Nihon Inter Electronics 로고


11EQS03L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

11EQS03L 데이터시트, 핀배열, 회로
SBD Type :11EQS03L
FEATURES
Miniature Size
* Extremely Low Forward Voltage Drop
* Low Forward Voltage Drop
* High Surge Capability
* 30volts trough 100volts Types Available
* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package Available
OUTLINE DRAWING
Maximum Ratings
Approx Net Weight:0.17g
Rating
Symbol
11EQS03L
Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
Without Fin or
Average Rectified P.C.Board
Output Current P.C.Board
Mounted *
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
VRRM
IO
IF(RMS)
IFSM
Tjw
Tstg
30 V
1.0 Ta=36°C
Half Sine Wave Resistive Load
1.0 Ta=55°C
A
1.57
40 Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
A
A
°C
°C
Electrical Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Conditions
Peak Reverse Current
Peak Forward Voltage
Thermal Resistance(Junction to Ambient)
* :Print Lands = 5x5 mm,Both Sides
IRM Tj= 25°C, VRM= VRRM
VFM Tj= 25°C, IFM= 1 A
Rth(j-a)
Without Fin or P.C.Board
P.C.Board mounted *
Min Typ
--
--
--
Max
1
0.45
140
110
Unit
mA
V
°C/W





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ 11EQS03L.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
11EQS03L

Low Forward Voltage drop Diode

Nihon Inter Electronics
Nihon Inter Electronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵