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부품번호 | 11ES2 기능 |
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기능 | DIODE | ||
제조업체 | Nihon Inter Electronics | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
DIODE Type : 11ES2
FEATURES
* Miniature Size
* Low Forward Voltage drop
* Low Reverse Leakage Current
* High Surge Capability
* 26mm and 52mm Inside Tape Spacing Package
Available
OUTLINE DRAWING
Maximum Ratings
Approx Net Weight:0.17g
Rating
Repetitive Peak Reverse Voltage
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
RMS Forward Current
Surge Forward Current
Operating JunctionTemperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
VRRM
VRSM
IO
IF(RMS)
IFSM
Tjw
Tstg
0.98
1.0
45
11ES2
200
400
Ta=25°C *1 50Hz Half Sine
Ta=50°C *2 Wave Resistive Load
1.57
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
- 40 to + 150
- 40 to + 150
Unit
V
V
A
A
A
°C
°C
Electrical • Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Conditions
Min. Typ. Max.
Unit
Peak Reverse Current
IRM Tj= 25°C, VRM= VRRM
- - 50
µA
Peak Forward Voltage
VFM Tj= 25°C, IFM= 1.0A
- - 1.0
V
Thermal Resistance
Rth(j-a) Junction to Ambient
*1
*2
- - 140
110
°C/W
*1:Without Fin or P.C. Board
*2:P.C. Board Mounted (L=3mm,Print Land=5x5mm,Both Sides)
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ 11ES2.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
11ES1 | DIODE | Nihon Inter Electronics |
11ES2 | DIODE | Nihon Inter Electronics |
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