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VP0650 데이터시트 PDF




Supertex에서 제조한 전자 부품 VP0650은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 VP0650 자료 제공

부품번호 VP0650 기능
기능 (VP0645 / VP0650) P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs
제조업체 Supertex
로고 Supertex 로고


VP0650 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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VP0650 데이터시트, 핀배열, 회로
Ordewri.nDgatInafSohrmeeatt4ioUn.comPVe-CrthicaanlOnDeMl BEOnShSFanEOcTesmLenEt-MTodEe VVPP00664550BVDSS /
wBVDGS
w -450V
m-500V
RDS(ON)
(max)
30
30
oMIL visual screening available
ID(ON)
(min)
-0.2A
-0.2A
TO-39
VP0645N2
Order Number / Package
TO-92
VP0650N3
TO-220
VP0650N5
Die
VP0645ND
VP0650ND
Advanced DM.OcS TechnologyHigh Reliability Devices
See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process
UFlows and Ordering Information.
Features et4Free from secondary breakdown
eLow power drive requirement
hEase of paralleling
Low C and fast switching speeds
ISS
SExcellent thermal stability
taIntegral Source-Drain diode
High input impedance and high gain
aComplementary N- and P-channel devices
These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a
vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate
manufacturing process. This combination produces devices with
the power handling capabilities of bipolar transistors and with the
high input impedance and positive temperature coefficient inher-
ent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these
devices are free from thermal runaway and thermally-induced
secondary breakdown.
Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range
of switching and amplifying applications where high breakdown
voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast
switching speeds are desired.
Applications .D Package OptionsMotor controls
wConverters
wAmplifiers
Switches
w omPower supply circuits
.cDrivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories,
Udisplays, bipolar transistors, etc.)
Absolute Maximum Ratings Sheet4Drain-to-Source Voltage
taDrain-to-Gate Voltage
aGate-to-Source Voltage
.DOperating and Storage Temperature
wSoldering Temperature*
ww* Distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.
BVDSS
BVDGS
± 20V
-55°C to +150°C
300°C
G DS
TO-220
TAB: DRAIN
DGS
TO-39
Case: DRAIN
SGD
TO-92
Note: See Package Outline section for dimensions.
7-245
7
9




VP0650 pdf, 반도체, 판매, 대치품
OBSOLETE –Typical Performance Curves
BVDSS Variation with Temperature
VP0645/VP0650
On-Resistance vs. Drain Current
50
1.1
VGS = -5V
40
VGS = -10V
30
1.0
20
0.9
-50 0 50 100
Tj (°C)
Transfer Characteristics
-1.0
VDS = -25V
-0.8
TA = -55°C
-0.6
TA = 25°C
-0.4
150
-0.2 TA = 150°C
0
0 -2 -4 -6 -8 -10
VGS (volts)
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
200
f = 1MHz
150
100
50
0
0
CISS
COSS
CRSS
-10 -20 -30
VDS (volts)
-40
10
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0
ID (amperes)
V(th) and RDS Variation with Temperature
2.0
1.2 RDS(ON) @ -10V, -0.1A
1.1
1.0 1.0
0.9
0.8
-50
V(th) @ -2mA
0 50 100
Tj (°C)
0
150
Gate Drive Dynamic Characteristics
-10
VDS = -10V
-8
VDS = -40V
-6
250 pF
-4
90 pF
-2
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
QG (nanocoulombs)
7-248

4페이지












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