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P3NB60FP 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 P3NB60FP은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P3NB60FP 자료 제공

부품번호 P3NB60FP 기능
기능 STP3NB60FP
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


P3NB60FP 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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P3NB60FP 데이터시트, 핀배열, 회로
t4U.com STP3NB60
ee STP3NB60FP
Sh N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
ata PowerMESHMOSFET
w.DTYPE
w STP3NB60
w STP3NB60FP
VDSS
600 V
600 V
RDS(on)
<3.6
< 3.6
ID
3.3 A
2.2 A
s TYPICAL RDS(on) = 3.3
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
ms VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
os GATE CHARGE MINIMIZED
.cDESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, SGS-Thomson has designed an
Uadvanced family of power MOSFETs with
t4outstanding performances. The new patent
pending strip layout coupled with the Company’s
proprietary edge termination structure, gives the
elowest RDS(on) per area, exceptional avalanche
and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge
eand switching characteristics.
hAPPLICATIONS
Ss HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
tas DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
aPOWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE
.DABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
wVDS
wVDGR
wVGS
Drain-source Voltage (VGS = 0)
Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
Gate-source Voltage
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Value
STP3NB60 STP3NB60FP
600
600
± 30
Unit
V
V
V
ID
ID
IDM()
Ptot
dv/dt(1)
VISO
Tstg
Tj
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
March 1998
3.3 2.2
m2.1 1.4
o13.2
13.2
.c80 35
U0.64
0.28
t44.5 4.5
ee2000
h-65 to 150
www.DataS150
A
A
A
W
W/oC
V/ns
V
oC
oC
1/9




P3NB60FP pdf, 반도체, 판매, 대치품
STP3NB60/FP
Thermal Impedance for TO-220
Thermal Impedance forTO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9

4페이지










P3NB60FP 전자부품, 판매, 대치품
DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
STP3NB60/FP
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/9

7페이지


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