20N60C2 - SPP20N60C2

부품번호

20N60C2 기능

기능

SPP20N60C2

제조업체

Infineon Technologies

로고

20N60C2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.

전체 14 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

Final data

SPP20N60C2, SPB20N60C2

SPA20N60C2

Cool MOS™ Power Transistor

Feature

• New revolutionary high voltage technology

• Worldwide best RDS(on) in TO 220

• Ultra low gate charge

www.DataShee•t4UP.ceormiodic avalanche rated

• Extreme dv/dt rated

• Ultra low effective capacitances

Product Summary

VDS @ Tjmax 650

RDS(on)

0.19

ID 20

Ω

P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1

P-TO220-3-31

Type

SPP20N60C2

SPB20N60C2

SPA20N60C2

Package

Ordering Code

P-TO220-3-1 Q67040-S4320

P-TO263-3-2 Q67040-S4322

P-TO220-3-31 Q67040-S4333

Marking

20N60C2

Maximum Ratings

Parameter

Continuous drain current

TC = 25 °C

TC = 100 °C

Pulsed drain current, tp limited by Tjmax

Avalanche energy, single pulse

ID=10A, VDD=50V

Avalanche energy, repetitive tAR limited by Tjmax2)

ID=20A, VDD=50V

Avalanche current, repetitive tAR limited by Tjmax

Reverse diode dv/dt

IS = 20 A, VDS < VDD, di/dt=100A/µs, Tjmax=150°C

Gate source voltage

Gate source voltage AC (f >1Hz)

Power dissipation, TC = 25°C

Operating and storage temperature

Page 1

Symbol

Value

SPP_B SPA

20 201)

13 131)

ID puls

EAS

690

Unit

EAR 1 1

IAR 20 20 A

dv/dt

6 V/ns

VGS

Ptot

Tj , Tstg

±20 ±20 V

±30 ±30

208 34.5 W

-55...+150

°C

2002-08-12

Final data

SPP20N60C2, SPB20N60C2

SPA20N60C2

Electrical Characteristics

Parameter

Symbol Conditions

Characteristics

Inverse diode continuous

www.DataSheeft4oUr.wcoamrd current

Inverse diode direct current,

pulsed

Inverse diode forward voltage

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

Peak reverse recovery current

Peak rate of fall of reverse

recovery current

IS TC=25°C

ISM

VSD

trr

Qrr

Irrm

dirr/dt

VGS=0V, IF=IS

VR=350V, IF =IS ,

diF /dt=100A/µs

Tj=25°C

Values

Unit

min. typ. max.

- - 20 A

- - 40

- 1 1.2 V

- 610 1040 ns

- 12 - µC

- 48 - A

- 1500 - A/µs

Typical Transient Thermal Characteristics

Symbol

Value

Unit Symbol

SPP_B

SPA

Rth1

0.007416

0.077 K/W Cth1

Rth2

0.016

0.015

Cth2

Rth3

0.021

0.022

Cth3

Rth4 0.06 0.063

Cth4

Rth5

0.083

0.214

Cth5

Rth6

0.038

2.479

Cth6

Value

SPP_B

SPA

0.0004409 0.000376

0.001462 0.00141

0.0024

0.00192

0.003031 0.00332

0.02 0.019

0.146

0.412

Unit

Ws/K

Ptot (t)

Tj R th1

C th 1

C th 2

Rth,n Tcase External Heatsink

C th,n

Tamb

Page 4

2002-08-12

4페이지

Final data

SPP20N60C2, SPB20N60C2

SPA20N60C2

9 Typ. drain-source on resistance

RDS(on)=f(ID )

parameter: Tj=150°C, VGS

1.5

Ω

www.DataSheet4U.com1.3

1.2

1.1

0.9

6.5V

7.5V

8.5V

10V

12V

20V

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0 5 10 15 20 25 30 A 40

10 Drain-source on-state resistance

RDS(on) = f (Tj)

parameter : ID = 13 A, VGS = 10 V

SPP20N60C2

1.1

Ω

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

98%

0.2 typ

0.1

-60 -20 20 60 100 °C 180

11 Typ. transfer characteristics

ID= f ( VGS ); VDS≥ 2 x ID x RDS(on)max

parameter: tp = 10 µs

25°C

50 150°C

10 V

VGS

12 Typ. gate charge

VGS = f (QGate)

parameter: ID = 20 A pulsed

SPP20N60C2

12 0,2 VDS max

0,8 VDS max

0 20 40 60 80 nC 120

QGate

Page 7

2002-08-12

7페이지

구 성

총 14 페이지수

다운로드

[ 20N60C2.PDF 데이터시트 ]

본 사이트를 통해서 주요 제조업체의 전자 부품 및 장치의 기술 사양을 쉽게 찾을 수 있습니다.

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트 데이터베이스를 제공합니다.

구매 문의

일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ]

부품번호	상세설명 및 기능	제조사
20N60C2	SPP20N60C2	Infineon Technologies
20N60C3	HGTG20N60C3	Intersil Corporation

20N60C2 데이터시트 PDF

특징 및 기능

PDF 형식의 20N60C2 자료 제공

관련 데이터시트

사이트 맺음말