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H5N5006LD 데이터시트 PDF




Hitachi에서 제조한 전자 부품 H5N5006LD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H5N5006LD 자료 제공

부품번호 H5N5006LD 기능
기능 (H5N5006xx) Silicon N-Channel MOSFET
제조업체 Hitachi
로고 Hitachi 로고


H5N5006LD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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H5N5006LD 데이터시트, 핀배열, 회로
H5N5006LD, H5N5006LS, H5N5006LM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1549 (Z)
omFeatures
.cLow on-resistance
Low leakage current
UHigh speed switching
t4Low gate charge
Avalanche ratings
eOutline
heLDPAK
taSD
.DaG
www www.DataSheet4U.comS
Rev.0
Aug.2002
4 44
1
2
3
1
2
1
2
H5N5006LS
3
3 H5N5006LM
H5N5006LD
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain




H5N5006LD pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5N5006LD, H5N5006LS, H5N5006LM
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
50
20
10
5 PW = 10 ms(1shot)
10 µs
2
1
0.5
0.2
(TcD=C2O5p°Cer)ation
0.1
0.05
0.02
Operation in this area is
limited by RDS(on)
0.01 Ta = 25°C
0.005
0.1 0.3 1 3
10 30 100 300 1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
5
Pulse Test
10 V
8V
4
6V
3
5.5 V
2
1
5V
V GS = 4.5 V
0 4 8 12 16 20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
5
V DS = 10 V
Pulse Test
4
3
2 Tc = 75°C
25°C
1
25°C
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Rev.0, Aug. 2002, page 4 of 12

4페이지










H5N5006LD 전자부품, 판매, 대치품
H5N5006LD, H5N5006LS, H5N5006LM
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
4
3
5, 10 V
2
VGS = 0 V
1
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
5
VDS = 10 V
4 ID = 10 mA
1 mA
3 0.1 mA
2
1
0
-50 0
50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10
Vin
10 V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 250 V
Waveform
Vin 10%
Vout 10%
90%
td(on)
tr
90%
10%
90%
td(off)
tf
Rev.0, Aug. 2002, page 7 of 12

7페이지


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