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H5N5006FM 데이터시트 PDF




Hitachi에서 제조한 전자 부품 H5N5006FM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H5N5006FM 자료 제공

부품번호 H5N5006FM 기능
기능 Silicon N-Channel MOSFET
제조업체 Hitachi
로고 Hitachi 로고


H5N5006FM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 10 페이지수

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H5N5006FM 데이터시트, 핀배열, 회로
H5N5006FM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1112 (Z)
mFeatures
oLow on-resistance: RDS(on) = 2.5 typ.
.cLow leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V)
High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 1.5 A)
ULow gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 3 A)
t4Avalanche ratings
eOutline
eTO-220FM
1st. Edition
Mar. 2001
taShD
.DaG
www www.DataSheet4U.comS
123
1. Gate
2. Drain
3. Source




H5N5006FM pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5N5006FM
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
40
30
20
10
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
PW 1001µ0sµs
DC(TcO=pe=2r15a0°tiCmon)s(1shot)
Operation in
this area is
limited by RDS(on)
0.01 Ta = 25°C
0.005
0.1 0.3 1 3 10 30 100 300 1000
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
5
Pulse Test
10 V
8V
4
6V
3
5.5 V
2
1
5V
VGS = 4.5V
0 4 8 12 16 20
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
5
V DS = 10 V
4 Pulse Test
3
2 Tc = 75°C
25°C
1
–25°C
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
4

4페이지










H5N5006FM 전자부품, 판매, 대치품
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
4
3
5, 10 V
2
VGS = 0 V
1
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
H5N5006FM
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
5
VDS = 10 V
4 ID = 10mA
1mA
3 0.1mA
2
1
0
-50 0
50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10
Vin
10 V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 250 V
Waveform
Vin 10%
Vout 10%
90%
td(on)
tr
90%
10%
90%
td(off)
tf
7

7페이지


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