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부품번호 | H5N5005PL 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | Hitachi | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
H5N5005PL
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1382 (Z)
Target Specification 1st. Edition
Mar. 2001
mFeatures
o• Low on-resistance: RDS(on) = 0.064 typ.
.c• Low leakage current: IDSS = 10 µA max (at VDS = 500 V)
• High speed switching: tf = 300 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 30 A)
U• Low gate charge: Qg = 300 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 60 A)
t4• Avalanche ratings
• Built-in fast recovery diode: trr = 220 ns typ
eOutline
heTO-3PL
taSD
.DaG 1
2
w m3
1. Gate
o2. Drain (Flange)
w .c3. Source
w www.DataSheet4US
H5N5005PL
Package Dimensions
20.0 ± 0.3
φ3.3 ± 0.2
5.0 ± 0.2
As of January, 2001
Unit: mm
5.45 ± 0.5
1.4
3.0
2.2
1.2
+0.25
–0.1
5.45 ± 0.5
0.6
+0.25
–0.1
1.0
2.8 ± 0.2
3.8
7.4
Hitachi Code
TO-3PL
JEDEC
—
EIAJ
—
Mass (reference value) 9.9 g
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ H5N5005PL.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
H5N5005PL | Silicon N-Channel MOSFET | Hitachi |
H5N5005PL | Silicon N-Channel MOS FET | Renesas |
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