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H5N5005PL 데이터시트 PDF




Hitachi에서 제조한 전자 부품 H5N5005PL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H5N5005PL 자료 제공

부품번호 H5N5005PL 기능
기능 Silicon N-Channel MOSFET
제조업체 Hitachi
로고 Hitachi 로고


H5N5005PL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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H5N5005PL 데이터시트, 핀배열, 회로
H5N5005PL
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1382 (Z)
Target Specification 1st. Edition
Mar. 2001
mFeatures
oLow on-resistance: RDS(on) = 0.064 typ.
.cLow leakage current: IDSS = 10 µA max (at VDS = 500 V)
High speed switching: tf = 300 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 30 A)
ULow gate charge: Qg = 300 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 60 A)
t4Avalanche ratings
Built-in fast recovery diode: trr = 220 ns typ
eOutline
heTO-3PL
taSD
.DaG 1
2
w m3
1. Gate
o2. Drain (Flange)
w .c3. Source
w www.DataSheet4US




H5N5005PL pdf, 반도체, 판매, 대치품
H5N5005PL
Package Dimensions
20.0 ± 0.3
φ3.3 ± 0.2
5.0 ± 0.2
As of January, 2001
Unit: mm
5.45 ± 0.5
1.4
3.0
2.2
1.2
+0.25
–0.1
5.45 ± 0.5
0.6
+0.25
–0.1
1.0
2.8 ± 0.2
3.8
7.4
Hitachi Code
TO-3PL
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value) 9.9 g
4

4페이지












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다운로드[ H5N5005PL.PDF 데이터시트 ]

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