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SUV85N10-10 데이터시트 PDF




Vishay Siliconix에서 제조한 전자 부품 SUV85N10-10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SUV85N10-10 자료 제공

부품번호 SUV85N10-10 기능
기능 N-Channel 100-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET
제조업체 Vishay Siliconix
로고 Vishay Siliconix 로고


SUV85N10-10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SUV85N10-10 데이터시트, 핀배열, 회로
New Product
SUV85N10-10
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS (V)
100
rDS(on) (W)
0.0105 @ VGS = 10 V
0.012 @ VGS = 4.5 V
ID (A)
85 a
FEATURES
D TrenchFETr Power MOSFET
D 175_C Junction Temperature
APPLICATIONS
D DC/DC Primary Side Switch
TO-262
.com1 2 3
D
G
t4UG D S
Top View
eSUV85N10-10
S
N-Channel MOSFET
heABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
SParameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
taGate-Source Voltage
VDS 100
VGS "20
aContinuous Drain Current (TJ = 175_C)
Pulsed Drain Current
.DAvalanche Current
Repetitive Avalanche Energyb
wMaximum Power Dissipationb
Operating Junction and Storage Temperature Range
TC = 25_C
TC = 125_C
L = 0.1 mH
TC = 25_C
TA = 25_C d
ID
IDM
IAR
EAR
PD
TJ, Tstg
85a
60a
240
75
280
250c
3.75
- 55 to 175
Unit
V
A
mJ
W
_C
ww U.comTHERMAL RESISTANCE RATINGS
t4Parameter
eeJunction-to-Ambient
ShJunction-to-Case
PCB Mountd
Free Air
taNotes
aa. Package limited.
.Db. Duty cycle v 1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
wd. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
wDocument Number: 72039
wS-03601—Rev. B, 31-Mar-03
Symbol
RthJA
RthJC
Limit
40
62.5
0.6
Unit
_C/W
www.vishay.com
1




SUV85N10-10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SUV85N10-10
Vishay Siliconix
New Product
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
On-Resistance vs. Junction Temperature
2.5
VGS = 10 V
ID = 30 A
2.0
100
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.5
TJ = 150_C
TJ = 25_C
10
1.0
0.5
0.0
- 50 - 25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (_C)
1
0
0.3 0.6
0.9 1.2
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
1000
Avalanche Current vs. Time
100
IAV (A) @ TA = 25_C
10
IAV (A) @ TA = 150_C
1
0.1
0.00001
0.0001
0.001 0.01
tin (Sec)
0.1
1
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
140
130 ID = 250 mA
120
110
100
90
- 50 - 25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (_C)
www.vishay.com
4
Document Number: 72039
S-03601—Rev. B, 31-Mar-03

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