|
|
|
부품번호 | K3N4C1000D-DC 기능 |
|
|
기능 | 8M-Bit CMOS Mask ROM | ||
제조업체 | Samsung Electronics | ||
로고 | |||
K3N4C1000D-D(G)C
CMOS MASK ROM
8M-Bit (1Mx8 /512Kx16) CMOS MASK ROM
FEATURES
• Switchable organization
1,048,576 x 8(byte mode)
524,288 x 16(word mode)
• Fast access time : 100ns(Max.)
• Supply voltage : single +5V
• Current consumption
Operating : 50mA(Max.)
Standby : 50µA(Max.)
• Fully static operation
• All inputs and outputs TTL compatible
• Three state outputs
• Package
-. K3N4C1000D-DC : 42-DIP-600
-. K3N4C1000D-GC : 44-SOP-600
GENERAL DESCRIPTION
The K3N4C1000D-D(G)C is a fully static mask programmable
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,
and is organized either as 1,048,576 x 8 bit(byte mode) or as
524,288 x16 bit(word mode) depending on BHE voltage level.
(See mode selection table)
This device operates with a 5V single power supply, and all
inputs and outputs are TTL compatible.
Because of its asynchronous operation, it requires no external
clock assuring extremely easy operation.
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and
data memory, character generator.
The K3N4C1000D-DC is packaged in a 42-DIP and the
K3N4C1000D-GC in a 44-SOP.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
PIN CONFIGURATION
A18
.
.
.
.
.
.
.
.
A0
A-1
X
BUFFERS
AND
DECODER
Y
BUFFERS
AND
DECODER
CE
OE
BHE
CONTROL
LOGIC
MEMORY CELL
MATRIX
(524,288x16/
1,048,576x8)
SENSE AMP.
DATA OUT
BUFFERS
...
Q0/Q8 Q7/Q15
Pin Name
A0 - A18
Q0 - Q14
Q15 /A-1
BHE
CE
OE
VCC
VSS
N.C
Pin Function
Address Inputs
Data Outputs
Output 15(Word mode)/
LSB Address(Byte mode)
Word/Byte selection
Chip Enable
Output Enable
Power ( +5V)
Ground
No Connection
A18 1
A17 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
CE 11
VSS 12
OE 13
Q0 14
Q8 15
Q1 16
Q9 17
Q2 18
Q10 19
Q3 20
Q11 21
DIP
42 N.C N.C 1
41 A8
A18 2
40 A9
A17 3
39 A10
A7 4
38 A11
A6 5
37 A12
A5 6
36 A13
A4 7
35 A14
A3 8
34 A15
A2 9
33 A16
A1 10
32 BHE A0 11
31 VSS
CE 12
30 Q15/A-1 VSS 13
29 Q7
OE 14
28 Q14
27 Q6
26 Q13
25 Q5
24 Q12
23 Q4
22 VCC
Q0 15
Q8 16
Q1 17
Q9 18
Q2 19
Q10 20
Q3 21
Q11 22
K3N4C1000D-DC
SOP
44 N.C
43 N.C
42 A8
41 A9
40 A10
39 A11
38 A12
37 A13
36 A14
35 A15
34 A16
33 BHE
32 VSS
31 Q15/A-1
30 Q7
29 Q14
28 Q6
27 Q13
26 Q5
25 Q12
24 Q4
23 VCC
K3N4C1000D-GC
www.DataSheet4U.com
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ K3N4C1000D-DC.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
K3N4C1000D-DC | 8M-Bit CMOS Mask ROM | Samsung Electronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |