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IRFZ34EPBF 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRFZ34EPBF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRFZ34EPBF 자료 제공

부품번호 IRFZ34EPBF 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRFZ34EPBF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IRFZ34EPBF 데이터시트, 핀배열, 회로
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Ease of Paralleling
l Lead-Free
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs
are well known for, provides the designer with an
extremely efficient device for use in a wide variety of
applications.
G
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
™IDM Pulsed Drain Current
PD @TC = 25°C Power Dissipation
Linear Derating Factor
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
TSTG
Gate-to-Source Voltage
dSingle Pulse Avalanche Energy
ÙAvalanche Current
™Repetitive Avalanche Energy
ePeak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Parameter
RθJC
RθCS
RθJA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
www.irf.com
PD - 94789
IRFZ34EPbF
HEXFET® Power MOSFET
D
VDSS = 60V
RDS(on) = 0.042
S ID = 28A
TO-220AB
Max.
28
20
112
68
0.46
± 20
97
17
6.8
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
y y10 lbf in (1.1N m)
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
2.2
–––
62
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
1
10/31/03
www.DataSheet4U.com




IRFZ34EPBF pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRFZ34EPbF
4 www.irf.com

4페이지










IRFZ34EPBF 전자부품, 판매, 대치품
IRFZ34EPbF
D.U.T
+
‚
-

RG
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
ƒ
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
- „+
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
- VDD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
VGS=10V *
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
Ripple 5%
* VGS = 5V for Logic Level Devices
VDD
ISD
www.irf.com
Fig 14. For N-Channel HEXFET® Power MOSFETs
7

7페이지


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