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MR851 데이터시트 PDF




EIC Semiconductor에서 제조한 전자 부품 MR851은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MR851 자료 제공

부품번호 MR851 기능
기능 (MR850 - MR858) Fast Recovery Rectifier Diodes
제조업체 EIC Semiconductor
로고 EIC Semiconductor 로고


MR851 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MR851 데이터시트, 핀배열, 회로
MR850 - MR858
PRV : 50 - 600 Volts
Io : 3.0 Amperes
FAST RECOVERY
RECTIFIER DIODES
DO-201AD
FEATURES :
* High current capability
* High surge current capability
* High reliability
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* Fast switching for high efficiency
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 1.16 grams
0.21 (5.33)
0.19 (4.82)
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
0.375 (9.52)
0.285 (7.24)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length
Ta = 90 °C
Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Peak Forward Voltage at IF = 3.0 A
Maximum DC Reverse Current
Ta = 25 °C
at Rated DC Blocking Voltage
Ta = 100 °C
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1 )
Typical Junction Capacitance ( Note 2 )
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL MR850 MR851 MR852 MR854 MR856 MR858 UNIT
VRRM
50 100 200 400 600 800
V
VRMS 35 70 140 280 420 560 V
VDC
50 100 200 400 600 800
V
IF(AV) 3.0 A
IFSM
VF
IR
IR(H)
Trr
CJ
TJ
TSTG
100 A
1.25 V
10 µA
150 µA
150 ns
28 pf
- 65 to + 150
°C
- 65 to + 15w0 ww.DataSheet4U.com °C
Notes :
( 1w)wRwev.DersaetaRSechoeveerty4TUe.sct oCmonditions : IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.
( 2 ) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
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Rev. 01 : April 2, 2002





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