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3SK131 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 3SK131은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 3SK131 자료 제공

부품번호 3SK131 기능
기능 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


3SK131 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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3SK131 데이터시트, 핀배열, 회로
DDAATTAA SSHHEEEETT
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
3SK131
RF AMP. FOR VHF TV TUNER
N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR
4PIN MINI MOLD
FEATURES
• Suitable for use as RF amplifier in VHF TV tuner.
• Low Crss : 0.05 pF TYP.
• High Gps : 23 dB TYP.
• Low NF : 1.3 dB TYP.
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
+0.2
2.8 0.3
+0.2
1.5 0.1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)
Drain to Source Voltage
VDSX
20
Gate1 to Source Voltage
VG1S
8
Gate2 to Source Voltage
VG2S
8
Drain Current
ID 25
Total Power Dissipation
PT
200
Channel Temperature
Tch
125
Storage Temperature
Tstg 55 to +125
V
V
V
mA
mW
C
C
5° 5°
5° 5°
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL MIN. TYP.
Drain to Source Breakdown Voltage BVDSX
20
Drain Current
IDSS 7 10
Gate1 to Source Cutoff Voltage
VG1S(OFF)
Gate2 to Source Cutoff Voltage
VG2S(OFF)
Gate1 Reverse Current
IG1SS
Gate2 Reverse Current
Forward Transfer Admittance
IG2SS
yfs 22 28
MAX.
25
2.0
1.5
20
20
Input Capacitance
Ciss 4.0 5.0 6.5
Output Capacitance
Coss 2.2 2.9 3.7
Reverse Transfer Capacitance
Crss
0.05 0.08
Power Gain
Cps 21 24
Noise Figure
NF 1.2 2.5
IDSS classification V11 7-13 mA V12 11-19 mA V13 17-25 mA
PIN CONNECTIONS
1. Source
2. Drain
3. Gate 2
4. Gate 1
UNIT
V
mA
V
V
nA
nA
mS
pF
pF
pF
dB
dB
TEST CONDITIONS
VG1S = VG2S = 2 V, ID = 10 A
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, VG1S = 0
VDS = 8 V, VG2S = 0, ID = 5 A
VDS = 8 V VG1S = 0, ID = 5 A
VDS = 0, VG1S = 8 V, VG2S = 0
VDS = 0, VG2S = 8 V, VG1S = 0
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, ID = 10 mA
f = 1 kHz
VDS = 6 V, VG2S = 3 V, ID = 10 mA
f = 1 MHz
VDS = 10 V, VG2S = 5 V, ID = 10 mA
f = 200 MHz
Document No. P12449EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TC-1508)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
©
1983




3SK131 pdf, 반도체, 판매, 대치품
NOISE FIGURE vs. DRAIN CURRENT
f = 200 MHz
VDS = 10 V
VG2S = 5 V
4.0 VDS = 5 V
VG2S = 3 V
3.0
2.0
1.0
0
246
8 10
ID-Drain Current=mA
3SK131
NOISE FIGURE, POWER GAIN vs.
GATE2 TO SOURCE VOLTAGE
f = 200 MHz
30 VDS = 10 V
VDS = 5 V
20
Gps
4
3
10
2
0
NF 1
10
0
1 0 1 2 3 4 5 6 7 8
VG2S-Gate 2 to Source Voltage-V
TEST CIRCUIT
VG2S
1000 pF
22 k
1000 pF
INPUT 7 pF
50
1000 pF
L1
15 pF
200
22 k
1000 pF
1000 pF
TEST CONDITION
VDS = 10 V, VG2S = 5 V, ID = 10 mA
f = 200 MHz
L2
7 pF OUTPUT
L1: φ 0.6 mm U.E.W. 7 mm 3T
L2: φ 0.6 mm U.E.W. 7 mm 3T
L3: RFC 2.2 µ H
1000 pF
50
15 pF
L3
1000 pF
VG1S
VDS
4

4페이지










3SK131 전자부품, 판매, 대치품
[MEMO]
3SK131
7

7페이지


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