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STP6N60FI 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STP6N60FI은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STP6N60FI 자료 제공

부품번호 STP6N60FI 기능
기능 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STP6N60FI 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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STP6N60FI 데이터시트, 핀배열, 회로
( DataSheet : www.DataSheet4U.com )
STP6N60FI
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOS TRANSISTOR
TYPE
STP6N60FI
VDSS
600 V
RDS(on)
< 1.2
ID
3.8 A
s TYPICAL RDS(on) = 1
s AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
s 100% AVALANCHE TESTED
s REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
s APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s CHOPPER REGULATORS, CONVERTERS,
MOTOR CONTROL, LIGHTING FOR
INDUSTRIAL AND CONSUMER
ENVIRONMENT
3
2
1
ISOWATT220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
VDGR Drain- gate Voltage (RGS = 20 k)
VGS Gate-source Voltage
ID Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
ID Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
IDM() Drain Current (pulsed)
Ptot Total Dissipation at Tc = 25 oC
Derating Factor
VISO Insulation Withstand Voltage (DC)
Tstg Storage Temperature
Tj Max. Operating Junction Temperature
() Pulse width limited by safe operating area
May 1993
www.DataSheet4U.com
Value
600
600
± 20
3.8
2.4
24
40
0.32
2000
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/oC
V
oC
oC
1/9
www.DataSheet4U.com




STP6N60FI pdf, 반도체, 판매, 대치품
STP6N60FI
Derating Curve
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
4/9

4페이지










STP6N60FI 전자부품, 판매, 대치품
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
Resistive Load
STP6N60FI
Fig. 4: Gate Charge Test Circuit
Fig. 5: Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
7/9

7페이지


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