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부품번호 | PMV40UN 기능 |
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기능 | TrenchMOS ultra low level FET | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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www.DataSheet4U.com
PMV40UN
TrenchMOS™ ultra low level FET
Rev. 01 — 05 August 2003
M3D088
Product data
1. Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PMV40UN in SOT23.
1.2 Features
s Ultra low level threshold
s Surface mount package.
1.3 Applications
s Battery management
s High-speed switch.
1.4 Quick reference data
s VDS ≤ 30 V
s Ptot ≤ 1.9 W
s ID ≤ 4.9 A
s RDSon ≤ 47 mΩ.
2. Pinning information
Table 1:
Pin
1
2
3
Pinning - SOT23, simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
gate (g)
source (s)
3
drain (d)
12
Top view
MSB003
SOT23
Symbol
d
g
MBB076
s
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Philips Semiconductors
5. Thermal characteristics
Table 4: Thermal characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Rth(j-sp) thermal resistance from junction to solder point Figure 4
5.1 Transient thermal impedance
PMV40UN
TrenchMOS™ ultra low level FET
Min Typ Max Unit
- - 65 K/W
102
Zth(j-sp)
(K/W)
δ = 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
single pulse
1
10-4
10-3
10-2
10-1
03an53
P
δ
=
tp
T
tp
T
t
1 10
tp (s)
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of pulse duration.
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© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
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PMV40UN
TrenchMOS™ ultra low level FET
1
VGS(th)
(V)
0.8
0.6
0.4
0.2
03aj65
typ
min
10-3
ID
(A)
10-4
10-5
03aj64
min typ
0
-60 0 60 120 Tj (°C) 180
10-6
0
0.2 0.4 0.6 0.8 VGS (V)1
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Tj = 25 °C; VDS = 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
104
C
(pF)
103
102
03an59
Ciss
Coss
Crss
10
10-1
1
10 VDS (V) 102
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
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PMV40UN | TrenchMOS ultra low level FET | NXP Semiconductors |
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