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SUB45N03-13L 데이터시트 PDF




Vishay Siliconix에서 제조한 전자 부품 SUB45N03-13L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SUB45N03-13L 자료 제공

부품번호 SUB45N03-13L 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Vishay Siliconix
로고 Vishay Siliconix 로고


SUB45N03-13L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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SUB45N03-13L 데이터시트, 핀배열, 회로
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SUB45N03-13L
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S), 175_C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS (V)
30
rDS(on) (W)
0.013 @ VGS = 10 V
0.02 @ VGS = 4.5 V
ID (A)
45a
45a
FEATURES
D TrenchFETr Power MOSFETS
D 175_C Junction Temperature
TO-263
D
G
G DS
Top View
SUB45N03-13L
S
www.DataSheet4U.comN-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 175_C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energyb
Maximum Power Dissipationb
Operating Junction and Storage Temperature Range
TC = 25_C
TC = 125_C
L = 0.1 mH
TC = 25_C
TA = 25_Cd
VDS
VGS
ID
IDM
IAR
EAR
PD
TJ, Tstg
30
"20
45a
34a
100
45
100
88c
3.75
- 55 to 175
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case (Drain)
Parameter
PCB Mountd
Symbol
RthJA
RthJC
Notes
a. Package limited.
b. Duty cycle v 1%.
c. See SOA curve for voltage derating.
d. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Document Number: 71740
S-05010—Rev. G, 05-Nov-01
Limit
40
1.7
Unit
V
A
mJ
W
_C
Unit
_C/W
www.vishay.com
1
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SUB45N03-13L pdf, 반도체, 판매, 대치품
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SUB45N03-13L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)
On-Resistance vs. Junction Temperature
VGS = 10 V
ID = 45 A
1.7
100
1.3
10
Source-Drain Diode Forward Voltage
TJ = 150_C
TJ = 25_C
0.9
0.5
- 50 - 25 0
25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (_C)
THERMAL RATINGS
1
0.3 0.6 0.9 1.2
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
60
Safe Operating Area
200
50
100 Limited
by rDS(on)
10 ms
100 ms
www.DataSheet4U.com40
1.5
30
10 1 ms
20
10
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TC - Case Temperature (_C)
TC = 25_C
Single Pulse
1
10 ms
100 ms
dc
0.1 1 10 100
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
10 - 5
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4
Single Pulse
10 - 4
10 - 3
10 - 2
Square Wave Pulse Duration (sec)
10 - 1
13
Document Number: 71740
S-05010—Rev. G, 05-Nov-01
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