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CSD667 데이터시트 PDF




CDIL에서 제조한 전자 부품 CSD667은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 CSD667 자료 제공

부품번호 CSD667 기능
기능 NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
제조업체 CDIL
로고 CDIL 로고


CSD667 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CSD667 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Continental Device India Limited
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS
IS/ISO 9002
IS / IECQC 700000
Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100
CSD667
CSD667A
TO-237
BCE
Low Frequency Power Amplifier
Complementary CSB647/A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C)
DESCRIPTION
SYMBOL
CSD667
CSD667A
Collector -Base Voltage
VCBO
120 120
Collector -Emitter Voltage
VCEO
80 100
Emitter Base Voltage
VEBO
5.0 5.0
Collector Current
IC 1.0 1.0
Peak
IC
2.0 2.0
Collector Power Dissipation
PC
0.9 0.9
Operating And Storage Junction
Tj, Tstg
-55 to +150
-55 to +150
Temperature Range www.DataSheet4U.com
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)
DESCRIPTION
SYMBOL TEST CONDITION CSD667 CSD667A
Collector -Base Voltage
VCBO IC=10uA, IE=0
>120
>120
Collector -Emitter Voltage
VCEO IC=1mA, IB=0
>80 >100
Emitter Base Voltage
VEBO
IE=10uA, IC=0
>5.0 >5.0
Collector Cut off Current
ICBO
VCB=100V, IE=0
<10 <10
DC Current Gain
hFE*
IC=150mA,VCE=5V** 60-320 60-200
IC=500mA,VCE=5V** >30
>30
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(Sat) IC=500mA,IB=50mA** <1.0
<1.0
Base to Emitter Voltage
VBE
IC=150mA,VCE=5V** <1.5
<1.5
Dynamic Characteristics
Gain Bandwidth Product
ft IC=150mA,VCE=5V** typ140 typ140
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
typ12 typ12
CLASSIFICATION
hFE*
hFE*
**Pulse Test
CSD667
CSD667A
B
60-120
60-120
C
100-200
100-200
D
160-320
-
UNIT
V
V
V
A
A
W
deg C
UNIT
V
V
V
uA
V
V
MHz
pF
Continental Device India Limited
Data Sheet
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www.DataSheet4U.com





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