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T830W 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 T830W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 T830W 자료 제공

부품번호 T830W 기능
기능 8A SNUBBERLESS TRIAC
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


T830W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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T830W 데이터시트, 핀배열, 회로
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T820W
® T830W
SNUBBERLESS TRIAC
FEATURES
ITRMS = 8 A
VDRM = VRRM = 400V to 700V
EXCELLENT SWITCHING PERFORMANCES
INSULATING VOLTAGE = 1500V(RMS)
U.L. RECOGNIZED : E81734
A2
DESCRIPTION
The T820/830W triacs use high performance glass
passivated chip technology, housed in a fully
molded plastic ISOWATT220AB package.
The SNUBBERLESSTM concept offers suppres-
sion of R-C network, and is suitable for applica-
tions such as phase control and static switch on
inductive and resistive loads.
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A1
G
A1
A2
G
ISOWATT220AB
(Plastic)
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)
Symbol
IT(RMS)
ITSM
I2t
dI/dt
Tstg
Tj
Tl
Parameter
Value
Unit
RMS on-state current
(360° conduction angle)
Tc= 95°C
8A
Non repetitive surge peak on-state current
(Tj initial = 25°C )
tp = 16.7 ms
(1 cycle, 60 Hz)
88
A
I2t Value (half-cycle, 50 Hz)
tp = 10 ms
(1/2 cycle, 50 Hz)
tp = 10 ms
100
50
A2s
Critical rate of rise of on-state current
Gate supply : IG = 500 mA dIG /dt = 1 A/µs.
Repetitive
F = 50 Hz
20 A/µs
Non Repetitive
100
Storage temperature range
Operating junction temperature range
- 40 to + 150 °C
- 40 to + 125
Maximum lead temperature for soldering during 10s at 4.5 mm
from case
260 °C
Symbol
Parameter
VDRM
DataSheet4U.comVRRM
April 1995
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Repetitive peak off-state voltage
Tj = 125°C
T820 / 830-xxxW
400 600 700
400 600 700
Unit
V
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T830W pdf, 반도체, 판매, 대치품
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T820W / 830W
Fig.7 : Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width : tp 10ms, and
corresponding value of I2t.
Fig.8 : On-state characteristics (maximum values).
I TSM (A). I2 t (A2s)
1000
Tj initial = 25oC
ITSM
100
I2t
10
1
1
I TM (A)
1000
100
Tj initial
25oC
tp(ms)
10
10
Tj max
Tj max
Vto =0.9V
1 Rt =0.048
VTM(V)
0.1
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6
et4U.com
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