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부품번호 | K2101 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) - 2SK2101 | ||
제조업체 | Fuji Electric | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
www.DataSheet4U.com
2SK2101-01MR
FAP-IIA Series
> Features
- High Speed Switching
- Low On-Resistance
- No Secondary Breakdown
- Low Driving Power
- High Voltage
- VGS = ± 30V Guarantee
- Avalanche Proof
> Applications
- Switching Regulators
- UPS
- DC-DC converters
- General Purpose Power Amplifier
N-channel MOS-FET
800V 2,1Ω 6A 50W
> Outline Drawing
> Maximum Ratings and Characteristics
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified
Item
Symbol
Rating
Drain-Source-Voltage
Drain-Gate-Voltage(RGS=20KΩ)
Continous Drain Current
V DS
V DGR
ID
800
800
6
Pulsed Drain Current
I D(puls)
24
Gate-Source-Voltage
V GS
±30
Max. Power Dissipation
P D 50
Operating and Storage Temperature Range
T ch
150
T stg
-55 ~ +150
> Equivalent Circuit
Unit
V
V
A
A
V
W
°C
°C
- Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified
Item
Symbol
Test conditions
Drain-Source Breakdown-Voltage
V (BR)DSS ID=1mA
VGS=0V
Gate Threshhold Voltage
V GS(th)
ID=1mA
VDS=VGS
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
VDS=800V Tch=25°C
VGS=0V
Tch=125°C
Gate Source Leakage Current
I GSS
VGS=±30V VDS=0V
Drain Source On-State Resistance
R DS(on)
ID=3A
VGS=10V
Forward Transconductance
g fs ID=3A VDS=25V
Input Capacitance
C iss
VDS=25V
Output Capacitance
C oss
VGS=0V
Reverse Transfer Capacitance
C rss
f=1MHz
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)
t d(on)
VCC=600V
t r ID=5A
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)
t d(off)
VGS=10V
t f RGS=10 Ω
Avalanche Capability
I AV
L=100µH
Tch=25°C
Continous Reverse Drain Current
I DR
TC=25°C
Pulsed Reverse Drain Current
I DRM
TC=25°C
Diode Forward On-Voltage
V SD
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C
Reverse Recovery Time
t rr IF=IDR VGS=0V
Reverse Recovery Charge
Q rr -dIF/dt=100A/µs Tch=25°C
Min.
800
2,5
3
6
Typ. Max.
3,0
10
0,2
10
1,7
6,5
1200
120
40
25
25
85
45
3,5
500
1,0
100
2,1
1800
180
60
40
40
130
70
6
24
1,1 1,6
400
1,5
Unit
V
V
µA
mA
nA
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
A
A
A
V
ns
µC
- Thermal Characteristics
Item
Thermal Resistance
Symbol
R th(ch-a)
R th(ch-c)
Test conditions
channel to air
channel to case
Min. Typ. Max. Unit
62,5 °C/W
2,5 °C/W
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
K210 | LOW LEVEL ZENER DIODES VERY LOW VOLTAGE/ LOW LEAKAGE | Knox Semiconductor |
K210 | LOW LEVEL ZENER DIODES VERY LOW VOLTAGE/ LOW LEAKAGE | Knox Inc |
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