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H1N5817 데이터시트 PDF




Hi-Sincerity Mocroelectronics에서 제조한 전자 부품 H1N5817은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 H1N5817 자료 제공

부품번호 H1N5817 기능
기능 1.0AMP.SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
제조업체 Hi-Sincerity Mocroelectronics
로고 Hi-Sincerity Mocroelectronics 로고


H1N5817 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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H1N5817 데이터시트, 핀배열, 회로
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HL200101
Issued Date : 2000.01.15
Revised Date : 2001.12.06
Page No. : 1/3
H1N5817 thru H1N5819
1.0 AMP. SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
Features
Low Forward Voltage Drop
High Current Capability
High Reliability
High Surge Current Capability
Maximum Ratings
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz,
resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Type Number
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current
0.375"(9.5mm) Lead Length @ TL=90°C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC
method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 1A
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 3A
Maximum DC Reverse Current At Rated DC
Blocking Voltage
Typical Thermal Resistance (Note 1) RθJA
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Operating Temperature Range Tj
Storage Temperature Range TSTG
H1N5817
20
14
20
H1N5818
30
21
30
H1N5819
40
28
40
Units
V
V
V
1A
25 A
0.45
0.550
0.600
0.750
0.875
0.900
1 (@ Ta=25°C)
10 (@ Ta=100°C)
50
110
-65 to +125
-65 to +125
V
V
mA
mA
°C /W
pF
°C
°C
Note 1: Thermal resistance from junction to ambient vertical PC Board Mounting, 0.375”(9.5mm) lead length.
Note 2: Measured at 1Mhz and applied reverse voltage of 4V D.C.
H1N5817, H1N5818, H1N5819
HSMC Product Specification





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