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K2723 데이터시트 PDF




NEC에서 제조한 전자 부품 K2723은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K2723 자료 제공

부품번호 K2723 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK2723
제조업체 NEC
로고 NEC 로고


K2723 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K2723 데이터시트, 핀배열, 회로
DATA SHEET
MOS Field Effect Power Transistors
2SK2723
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
This product is N-Channel MOS Field Effect Transistor
www.DataSheet4dUe.sciogmned for high current switching spplications.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeter)
10.0 ± 0.3
4.5 ± 0.2
3.2 ± 0.2
2.7 ± 0.2
FEATURES
Low On-Resistance
RDS (on) 1 = 40mMax. (VGS = 10 V, ID = 13 A)
RDS (on) 2 = 60mMax. (VGS = 4 V, ID = 13 A)
Low Ciss Ciss = 830 pF Typ.
Built-in G-S Protection Diode
Isolated TO-220 Package
0.7 ± 0.1
2.54
1.3 ± 0.2
1.5 ± 0.2
2.54
2.5 ± 0.1
0.65 ± 0.1
123
1.Gate
2.Drain
3.Source
MP-45F (ISOLATED TO-220)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)
Drain to Source Voltage
VDSS
60
Gate to Source Voltage
VGSS
±20
Drain Current (DC)
ID (DC)
±25
Drain Current (pulse)*
ID (pulse)
±100
Total Power Dissipation (TA = 25 °C) PT
2.0
Total Power Dissipation (Tc = 25 °C) PT
25
Channel Temperature
Tch 150
Storage Temperature
Tstg 55 to +150
*PW 10 µs, Duty Cycle 1%
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Drain
Gate
Body
Diode
Gate Protection
Diode
Source
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this
deveice acutally used, an addtional protection circiut is externally required if voltage exceeding the rated voltage
may be applied to this device.
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. D10623EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 1996 P
Printed in Japan
© 1994




K2723 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK2723
1 000
100
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
Rth(ch-a)=62.5°C/W
10
Rth(ch-c)=5.0°C/W
1
www.DataSheet4U.com
0.1
0.01
0.001
10µ 100µ 1m 10m 100m
1
PW - Pulse Width - s
Single Pulse
10 100 1 000
1000
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
VDS=10V
Pulsed
100 Tch=-25°C
25°C
75°C
125°C
10
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
Pulsed
60
40
ID=13A
20
1
1 10 100 1 000
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
80 Pulsed
60
VGS=4V
40
20 VGS=10V
0
1
10 100
ID - Drain Current - A
0 10 20 30
VGS - Gate to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
VDS = 10 V
2.0 ID = 1 mA
1.5
1.0
0.5
0
- 50 0 50 100 150
Tch - Channel Temperature - °C
4

4페이지










K2723 전자부품, 판매, 대치품
[MEMO]
www.DataSheet4U.com
2SK2723
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